[發(fā)明專利]半導體裝置、電力轉換裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910815742.2
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN110880480B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設計）人: 西村太宏
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/051
• 分類號: H01L23/051;H01L23/31;H01L21/52
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導體裝置，其具備：

半導體元件，其具有元件側端子；

殼體，其在內(nèi)部保持所述半導體元件，該殼體具有側壁；以及

殼體側端子，其與所述殼體連接，

所述元件側端子及所述殼體側端子位于所述側壁和所述半導體元件之間的區(qū)域并且彼此連接，

在所述元件側端子處與所述殼體側端子接觸的第1部分沿所述側壁延伸并且包含凸部，

在所述殼體側端子處與所述元件側端子接觸的第2部分沿所述側壁延伸并且包含與所述凸部接觸的凹部，

所述凸部包含與所述側壁相對的頂面、與所述頂面相連的第1端面、與所述頂面相連的第2端面，

所述凹部包含與所述凸部的所述頂面相對的底面、與所述底面相連且與所述凸部的所述第1端面接觸的第1側面、與所述底面相連且與所述凸部的所述第2端面接觸的第2側面，

從所述側壁側觀察，所述第1端面及所述第1側面以向第1方向傾斜的方式延伸，所述第2端面及所述第2側面以向與所述第1方向交叉的第2方向傾斜的方式延伸。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

從所述側壁側觀察，所述凸部的所述第1端面及所述第2端面配置為V字狀，所述凹部的所述第1側面及所述第2側面配置為V字狀。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

從所述側壁側觀察，所述凸部的所述第1端面及所述第2端面配置為倒V字狀，所述凹部的所述第1側面及所述第2側面配置為倒V字狀。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述元件側端子包含第1端子和第2端子，

所述殼體側端子包含第3端子和第4端子，

所述凸部形成于所述第1端子和所述第2端子，

所述凹部形成于所述第3端子和所述第4端子，

所述第1端子的所述凸部與所述第3端子的所述凹部接觸，

所述第2端子的所述凸部與所述第4端子的所述凹部接觸，

所述第1端子的所述凸部包含所述第1端面，

所述第2端子的所述凸部包含所述第2端面，

所述第3端子的所述凹部包含所述第1側面，

所述第4端子的所述凹部包含所述第2側面。

5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述殼體側端子包含與所述第2部分相連且與所述殼體連接的連接部，

所述連接部在沿所述殼體處的連接有所述連接部的區(qū)域的表面的剖面中包含彎曲部。

6.一種半導體裝置的制造方法，其具備準備半導體元件、殼體的工序，該半導體元件具有元件側端子，該殼體具有側壁，

殼體側端子與所述殼體連接，

所述元件側端子包含應該與所述殼體側端子接觸的第1部分，

所述第1部分包含凸部，

所述殼體側端子包含與所述側壁相對并且沿所述側壁延伸的第2部分，

所述第2部分包含應該與所述凸部接觸的凹部，

所述凸部包含與所述側壁相對的頂面、與所述頂面相連的第1端面、與所述頂面相連的第2端面，

所述凹部包含與所述凸部的所述頂面相對的底面、與所述底面相連且應該與所述凸部的所述第1端面接觸的第1側面、與所述底面相連且應該與所述凸部的所述第2端面接觸的第2側面，

所述半導體裝置的制造方法還具備在使所述凸部與所述凹部接觸的狀態(tài)下，將所述半導體元件配置于所述殼體的內(nèi)部的工序，

在配置所述半導體元件的工序中，從所述側壁側觀察，所述第1端面及所述第1側面以向第1方向傾斜的方式延伸，所述第2端面及所述第2側面以向與所述第1方向交叉的第2方向傾斜的方式延伸，

所述半導體裝置的制造方法還具備在使所述凸部與所述凹部接觸的狀態(tài)下，將所述第1部分和所述第2部分固定的工序。

7.一種電力轉換裝置，其具備：

主轉換電路，其具有權利要求1所述的半導體裝置，該主轉換電路對被輸入進來的電力進行轉換而輸出；以及

控制電路，其將對所述主轉換電路進行控制的控制信號輸出至所述主轉換電路。