[發明專利]半導體裝置及電力轉換裝置

有效

• 申請號: 201910815062.0
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN110880488B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 石橋秀俊;吉田博;村田大輔;北林拓也
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

基板；

多個半導體芯片，其設置于所述基板之上；

中繼基板，其設置于所述多個半導體芯片之上；

第1外部電極；以及

第2外部電極，

所述中繼基板具備：

絕緣板，其形成有貫穿孔；

下部導體，其設置于所述絕緣板的下表面，具有與所述多個半導體芯片的任意者電連接的第1下部導體、以及與所述多個半導體芯片的任意者電連接的第2下部導體；

上部導體，其設置于所述絕緣板的上表面；

連接部，其設置于所述貫穿孔，將所述第2下部導體、所述上部導體電連接；以及

凸出部，其為所述第1下部導體及所述上部導體中的一者的一部分，俯視觀察時從所述絕緣板向外側凸出，

所述凸出部與所述第1外部電極電連接，

所述第1下部導體及所述上部導體中的另一者與所述第2外部電極電連接，所述第1下部導體及所述上部導體中的另一者在俯視觀察時容納于所述絕緣板的內側。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凸出部設置于所述第1下部導體。

3.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

基板；

多個半導體芯片，其設置于所述基板之上；

中繼基板，其設置于所述多個半導體芯片之上；

第1外部電極；以及

第2外部電極，

所述中繼基板具備：

絕緣板，其形成有貫穿孔；

下部導體，其設置于所述絕緣板的下表面，具有分別與所述多個半導體芯片的任意者電連接的第1下部導體、第2下部導體；

上部導體，其設置于所述絕緣板的上表面；以及

連接部，其設置于所述貫穿孔，將所述第2下部導體、所述上部導體電連接，

在所述絕緣板的端部形成使所述第1下部導體露出的切口，

所述第1外部電極與所述第1下部導體的從所述切口露出的部分電連接，

所述第2外部電極與所述上部導體電連接。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1下部導體與所述絕緣板的端部相比設置于內側。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

就所述中繼基板而言，越是作為接合目標的部件與所述絕緣板的距離大的部分，所述下部導體設置得越厚。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述下部導體和所述上部導體，電流沿相反方向流過。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1下部導體及所述上部導體中的一者與所述多個半導體芯片的任意者的集電極電連接，

所述第1下部導體及所述上部導體中的另一者與所述多個半導體芯片的任意者的發射極電連接。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述中繼基板設置有源部件或無源部件，

所述下部導體或所述上部導體中的與所述有源部件或所述無源部件接合的部分比流過所述半導體芯片的主電流的部分設置得薄。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體芯片由寬帶隙半導體形成。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導體為碳化硅、氮化鎵類材料或金剛石。

11.一種電力轉換裝置，其具備：

主轉換電路，其具有權利要求1至10中任一項所述的半導體裝置，該主轉換電路對被輸入進來的電力進行轉換而輸出；

驅動電路，其將對所述半導體裝置進行驅動的驅動信號輸出至所述半導體裝置；以及

控制電路，其將對所述驅動電路進行控制的控制信號輸出至所述驅動電路。