[發明專利]極紫外光微影收集器的清潔方法

在審

• 申請號: 201910814730.8
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN110874024A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 訾安仁;林進祥;張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B08B3/08
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種極紫外光微影收集器的清潔方法包含對極紫外光輻射源反應室中的極紫外光微影收集器的表面施加清潔化合物，極紫外光微影收集器具有殘余物在收集器的表面上。清潔化合物包含：具25>δ_d>15、25>δ_p>10、與30>δ_h>6的漢森溶解度參數的主要溶劑；以及具?15<pKa<4的酸解離常數pKa的酸。從收集器的表面移除殘余物，以及從極紫外光輻射源反應室移除清潔化合物。

技術領域

本揭露的實施方式是有關于極紫外光微影收集器的清潔方法。

背景技術

半導體集成電路(IC)工業已歷經快速成長。在集成電路的材料與設計上的技術發展已產生數個集成電路世代，每個世代具有較先前世代小且復雜的電路。在集成電路發展的進程中，隨著幾何尺寸[即，利用一制程可形成的最小構件(或線)]的減少，功能密度(即，每晶片面積的互連元件的數量)普遍已獲得增加。微縮化過程大致上通過增加生產效率以及降低相關成本的方式提供許多優勢。這樣的微縮化亦已增加了處理與制造集成電路的復雜性。

舉例而言，進行更高解析度微影制程的需求成長。一種微影技術為極紫外光微影(EUVL)。極紫外光微影應用采落在極紫外光(EUV)區的光的掃瞄機，極紫外光區具有約1nm至100nm的波長。類似一些光學掃描機，一些極紫外光掃描機提供縮減4倍的投影印刷，除了極紫外光掃描機是使用反射而非折射光學元件，即鏡子而非透鏡。一種極紫外光光源為激光激發電漿(laser-produced plasma，LPP)。激光激發電漿技術通過將高能量激光光束聚焦在小錫液滴目標上，以形成高度離子化電漿的方式，來產生極紫外光，高度離子化電漿發出具最大峰值發射在13.5nm的極紫外光輻射。接著，極紫外光被激光激發電漿收集器收集，且被光學元件朝微影目標，例如晶圓反射。因粒子、離子、輻射、以及最嚴重的錫沉積，激光激發電漿收集器受損與劣化。

發明內容

本揭露的一實施方式為一種極紫外光微影收集器的清潔方法，包含對極紫外光輻射源反應室中的具有殘余物在收集器表面上的極紫外光微影收集器的表面施加清潔化合物。清潔化合物包含：具25>δ_d>15、25>δ_p>10、與30>δ_h>6的漢森溶解度參數的主要溶劑；以及具-15<pKa<4的酸解離常數pKa的酸。從收集器的表面移除殘余物，以及從極紫外光輻射源反應室移除清潔化合物。

附圖說明

從以下結合所附附圖所做的詳細描述，可對本揭露的實施方式有更佳的了解。需強調的是，根據業界的標準實務，各特征并未依比例繪示，且僅作為例示的目的。事實上，為了使討論更為清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或減少。

圖1是繪示依照本揭露的一些示范實施方式建構的一種具有激光激發電漿(LPP)極紫外光輻射源的極紫外光微影系統的示意圖；

圖2A是繪示依照本揭露的一些示范實施方式的用在極紫外光輻射源中的一種殘余物收集機構的前視示意圖；圖2B是繪示依照本揭露的一些實施方式的用在極紫外光輻射源中的一種殘余物收集機構的側視圖；圖2C是繪示依照本揭露的一些實施方式的用在極紫外光輻射源中的一種葉片的局部圖片；

圖3是繪示依照本揭露的一些實施方式的極紫外光輻射源100的示意圖；

圖4A、圖4B、與圖4C是顯示具有殘留物的極紫外光收集器的各種表面狀況；

圖5是繪示依照本揭露的一實施方式的一種極紫外光清潔操作；

圖6是繪示依照本揭露的一些實施方式的一種極紫外光收集器的表面的清潔；

圖7A是顯示使用后的極紫外光收集器，其上有錫殘留物沉積，圖7B是顯示極紫外光收集器于其表面清潔后；