[發(fā)明專(zhuān)利]硅基液晶器件的制作方法及硅基液晶器件、波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910810458.6
• 申請(qǐng)日: 2019-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110658649A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李方紅;常嘉興
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市科創(chuàng)數(shù)字顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/13
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/13;G02F1/1337;G02F1/1362
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 林才桂;鞠驍

本發(fā)明提供一種硅基液晶器件的制作方法及硅基液晶器件、波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)。所述硅基液晶器件的制作方法在覆蓋底電極及相鄰底電極之間間隔的鈍化層上形成液態(tài)材料膜，液態(tài)材料膜填充鈍化層上的凹陷，而后對(duì)液態(tài)材料膜進(jìn)行固化形成固態(tài)覆膜，并對(duì)固態(tài)覆膜進(jìn)行蝕刻，形成填充所述凹陷的填充部，而后再在硅片上形成覆蓋鈍化層及填充部的配向膜，通過(guò)利用填充部填充鈍化層表面的凹陷，能夠提升后續(xù)制作的配向膜的表面平坦性，進(jìn)而使得液晶層中的液晶分子具有連續(xù)的排列方向，保證液晶特性均勻，提升波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)等產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光學(xué)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅基液晶器件的制作方法及硅基液晶器件、波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)。

背景技術(shù)

波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)(Wavelength Selective Switch，WSS)是可重構(gòu)光分插復(fù)用器(Reconfigurable Optical Add-Drop Multiplexer，ROADM)的核心光電器件，可實(shí)現(xiàn)任意波長(zhǎng)或任意波長(zhǎng)組合在任意端口的光信號(hào)切換、衰減或阻斷，是當(dāng)前光通信行業(yè)的重點(diǎn)產(chǎn)品之一。

波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)一般包括光纖陣列、整形透鏡、衍射光柵、會(huì)聚透鏡及控制芯片，光線(xiàn)陣列輸入的光信號(hào)經(jīng)過(guò)整形透鏡準(zhǔn)直、光斑整形后再經(jīng)過(guò)衍射光柵，使得不同波長(zhǎng)的光信號(hào)在空間中沿不同角度分開(kāi)，再由會(huì)聚透鏡將不同波長(zhǎng)信號(hào)光信號(hào)聚焦在控制芯片上，由控制芯片將不同波長(zhǎng)的光信號(hào)沿不同方向輸出，從而實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的切換、衰減或阻斷。

現(xiàn)有技術(shù)常用硅基液晶(Liquid Crystal ON Silicon)器件作為波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)中的控制芯片。硅基液晶器件包括相對(duì)設(shè)置的硅片及頂板、間隔設(shè)于硅片靠近頂板的一側(cè)的多個(gè)反光的底電極、設(shè)于頂板靠近硅片一側(cè)的透光的頂電極、設(shè)于硅片及底電極靠近頂板一側(cè)的配向膜及設(shè)于配向膜與頂電極之間的液晶層，通過(guò)控制施加在底電極與頂電極上的電壓能夠控制液晶層中液晶的偏轉(zhuǎn)角度。將硅基液晶器件作為波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)中的控制芯片時(shí)，光信號(hào)由頂板一側(cè)射入硅基液晶器件并經(jīng)底電極反射后射出，通過(guò)調(diào)整液晶的偏轉(zhuǎn)角度能夠使得不同波長(zhǎng)的光信號(hào)沿不同方向輸出，從而實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的切換。為了對(duì)底電極進(jìn)行保護(hù)，通常需要在硅片上形成覆蓋多個(gè)底電極及相鄰底電極之間間隔的鈍化層，配向膜形成在鈍化層上，然而，由于底電極是間隔設(shè)置的，鈍化層對(duì)應(yīng)相鄰底電極之間的間隔會(huì)形成凹陷，使得鈍化層的表面平坦性較差，進(jìn)而導(dǎo)致配向膜的表面平坦性較差，無(wú)法使得液晶層中的液晶分子具有連續(xù)性的排列方向，導(dǎo)致液晶特性不均勻，無(wú)法滿(mǎn)足應(yīng)用于波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)的特性需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種硅基液晶器件的制作方法，能夠提升配向膜的表面平坦性，使得液晶層中的液晶分子具有連續(xù)的排列方向，保證液晶特性均勻，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種硅基液晶器件，配向膜的表面平坦性高，液晶層中的液晶分子具有連續(xù)的排列方向，液晶特性均勻。

本發(fā)明的又一目的在于提供一種波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)，其硅基液晶器件的配向膜的表面平坦性高，液晶層中的液晶分子具有連續(xù)的排列方向，液晶特性均勻。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種硅基液晶器件的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供硅片；

步驟S2、在硅片上形成間隔設(shè)置的多個(gè)底電極；

步驟S3、在硅片上形成覆蓋多個(gè)底電極及相鄰底電極之間間隔的鈍化層；所述鈍化層對(duì)應(yīng)相鄰底電極之間間隔形成凹陷；

步驟S4、在鈍化層上形成液態(tài)材料膜，所述液態(tài)材料膜填充所述凹陷；對(duì)液態(tài)材料膜進(jìn)行固化形成固態(tài)覆膜；

步驟S5、對(duì)固態(tài)覆膜進(jìn)行蝕刻，形成填充所述凹陷的填充部；

步驟S6、在硅片上形成覆蓋鈍化層及填充部的配向膜；

步驟S7、提供頂板，在頂板上形成頂電極；