[發(fā)明專利]硅基液晶器件的制作方法及硅基液晶器件、波長選擇開關(guān)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910810458.6
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110658649A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李方紅;常嘉興
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市科創(chuàng)數(shù)字顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02F1/1337;G02F1/1362
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 林才桂;鞠驍

1.一種硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供硅片(10)；

步驟S2、在硅片(10)上形成間隔設(shè)置的多個底電極(20)；

步驟S3、在硅片(10)上形成覆蓋多個底電極(20)及相鄰底電極(20)之間間隔的鈍化層(30)；所述鈍化層(30)對應(yīng)相鄰底電極(20)之間間隔形成凹陷(31)；

步驟S4、在鈍化層(30)上形成液態(tài)材料膜(40)，所述液態(tài)材料膜(40)填充所述凹陷(31)；對液態(tài)材料膜(40)進(jìn)行固化形成固態(tài)覆膜(41)；

步驟S5、對固態(tài)覆膜(41)進(jìn)行蝕刻，形成填充所述凹陷(31)的填充部(42)；

步驟S6、在硅片(10)上形成覆蓋鈍化層(30)及填充部(42)的配向膜(50)；

步驟S7、提供頂板(60)，在頂板(60)上形成頂電極(70)；

步驟S8、將硅片(10)形成有配向膜(50)的一側(cè)與頂板(60)形成有頂電極(70)的一側(cè)相對設(shè)置，在配向膜(50)與頂電極(70)之間形成液晶層(80)，得到硅基液晶器件。

2.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中，對固態(tài)覆膜(41)進(jìn)行多次等離子體蝕刻以形成填充部(42)；在進(jìn)行每一次等離子體蝕刻前，量測固態(tài)覆膜(41)的厚度并依據(jù)固態(tài)覆膜(41)的厚度調(diào)整該次等離子體蝕刻的制程參數(shù)，使得進(jìn)行該次等離子體蝕刻后固態(tài)覆膜(41)位于凹陷(31)上方以外的部分的厚度為進(jìn)行該次等離子體蝕刻前固態(tài)覆膜(41)位于凹陷(31)上方以外的部分的厚度的二分之一。

3.如權(quán)利要求2所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中，對固態(tài)覆膜(41)進(jìn)行3至5次等離子體蝕刻。

4.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中，對固態(tài)覆膜(41)進(jìn)行一次等離子體蝕刻以形成填充部(42)；該一次等離子體蝕刻使用的蝕刻氣體對固態(tài)覆膜(41)的蝕刻速率大于對鈍化層(30)的蝕刻速率；進(jìn)行該一次等離子體蝕刻后，固態(tài)覆膜(41)位于凹陷(31)上方以外的部分被完全去除。

5.如權(quán)利要求4所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中，該一次等離子體蝕刻的蝕刻氣體對固態(tài)覆膜(41)的蝕刻速率與體對鈍化層(30)的蝕刻速率之比大于20：1。

6.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述鈍化層(30)包括依次設(shè)置的多層子鈍化層(32)，每一子鈍化層(32)的材料為氮化硅或氧化硅；

所述液態(tài)材料膜(40)的材料為硅氧烷系材料、光阻材料或聚酰亞胺；

所述底電極(20)的材料為鋁。

7.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S4中，通過旋涂的方式在鈍化層(30)上形成液態(tài)材料膜(40)。

8.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述底電極(20)的厚度為2～3μm；所述底電極(20)之間間隔的寬度為2～3μm；

所述鈍化層(30)位于底電極(20)上的部分的厚度為100～200nm；

所述液態(tài)材料膜(40)位于凹陷(31)上方以外的部分的厚度為2～4μm；

所述S4中，對液態(tài)材料膜(40)進(jìn)行加熱固化以形成固態(tài)覆膜(41)，加熱溫度為250～350℃；

所述步驟S5之前，所述固態(tài)覆膜(41)位于凹陷(31)上方以外的部分的厚度為1～2μm。