[發明專利]一種消除生成硬掩模NDC層后產生的凸塊缺陷的方法

在審

• 申請號: 201910810111.1
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110444468A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 貢祎琪
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請公開了一種消除生成硬掩模NDC層后產生的凸塊缺陷的方法，屬于半導體集成電路制造領域。該方法包括：在超低介電常數材料ULK薄膜上淀積硬掩模NDC層；在所述硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜；清洗晶圓；依次刻蝕所述氮化硅薄膜和所述硬掩模NDC層。解決了后續工藝中容易產生凸塊缺陷的問題，達到了保證產品的線性性能，提高產品良率的效果。

技術領域

本申請涉及技術半導體集成電路制造領域，具體涉及一種消除生成硬掩模NDC層后產生的凸塊缺陷的方法。

背景技術

集成電路制造是在硅片上執行一系列復雜的化學或物理操作，可簡單分為前段制程(front end of line，FEOL)和后段制程(Back end of line，BEOL)。在28nm制程的BEOL中，會使用到硬掩模NDC(Nitride Doped Silicon Carbide，氮摻雜碳化硅)，硬掩模NDC層作為硬掩模刻蝕過程中的刻蝕停止層。為了滿足D0(Defect 0)做到0.94，良率達到97％，在淀積硬掩模NDC層之后，增加清洗步驟，以減少機臺產生的表面粒子對產品良率的影響。

然而，雖然增加了清洗步驟后表面粒子減少，但是在硬掩模工藝的光阻去除后檢查(HM_ASI)之后容易產生0.2um左右的凸塊缺陷，這種凸塊缺陷會造成線性扭曲(singleline open)，從而影響產品的良率。

發明內容

本申請提供了一種消除生成硬掩模NDC后產生的凸塊缺陷的方法，可以解決相關技術中提供的后段制程所造成的良率較低的問題。

第一方面，本申請實施例提供了一種消除生成硬掩模NDC后產生的凸塊缺陷的方法，該方法包括：

在超低介電常數材料ULK薄膜上淀積硬掩模NDC層；

在硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜；

清洗晶圓；

依次刻蝕氮化硅薄膜和硬掩模NDC層。

可選的，在硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜，包括：

利用氨與甲硅烷反應，在硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜。

可選的，在硬掩模NDC上生長氮化硅薄膜，包括：

在硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜，氮化硅薄膜的厚度范圍為

可選的，硬掩模NDC層的厚度為

可選的，在超低介電常數材料ULK薄膜上淀積硬掩模NDC層之前，該方法還包括：

淀積NDC薄膜；

在NDC薄膜上淀積TEOS薄膜；

在TEOS薄膜上淀積超低介電材料薄膜，并進行紫外線UV固化。

可選的，TEOS薄膜的厚度為

可選的，NDC薄膜的厚度為

可選的，淀積NDC薄膜包括：

在晶圓上淀積NDC薄膜，晶圓上制作有晶體管和金屬層。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

通過在ULK薄膜上淀積硬掩模NDC層，在硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜，清洗晶圓，依次刻蝕氮化硅薄膜和硬掩模NDC層，由于氮化硅薄膜具有親水性，生成氮化硅薄膜后清洗晶圓不會在表面生成水漬，解決了后續工藝中容易產生凸塊缺陷的問題，達到了保證產品的線性性能，提高產品良率的效果。

附圖說明