[發明專利]一種消除生成硬掩模NDC層后產生的凸塊缺陷的方法

在審

• 申請號: 201910810111.1
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110444468A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 貢祎琪
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種消除生成硬掩模NDC層后產生的凸塊缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

在超低介電常數材料ULK薄膜上淀積硬掩模NDC層；

在所述硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜；

清洗晶圓；

依次刻蝕所述氮化硅薄膜和所述硬掩模NDC層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜，包括：

利用氨與甲硅烷反應，在所述硬掩模NDC層上生長氮化硅薄膜。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述硬掩模NDC上生長氮化硅薄膜，包括：

在所述硬掩模NDC層上生長所述氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度范圍為

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模NDC層的厚度為

5.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在所述超低介電常數材料ULK薄膜上淀積硬掩模NDC層之前，所述方法還包括：

淀積NDC薄膜；

在所述NDC薄膜上淀積TEOS薄膜；

在所述TEOS薄膜上淀積超低介電材料薄膜，并進行紫外線UV固化。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述TEOS薄膜的厚度為

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述NDC薄膜的厚度為

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述淀積NDC薄膜包括：

在晶圓上淀積所述NDC薄膜，所述晶圓上制作有晶體管和金屬層。