[發明專利]一種蒸鍍坩堝和蒸鍍設備

在審

• 申請號: 201910809807.2
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110344004A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 姚祥
• 申請（專利權）人: 上海天馬有機發光顯示技術有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例公開了一種蒸鍍坩堝和蒸鍍裝置，該蒸鍍坩堝包括：坩堝主體；防爆沸板，設置于坩堝主體的開口處，或者設置于坩堝主體內且靠近坩堝主體的開口的預設位置處；防爆沸板與坩堝主體的側壁之間存在間隙，且防爆沸板與坩堝主體的底部之間存在間隙；掩模體，掩模體朝向坩堝主體的一側固定在防爆沸板背離坩堝主體的一側；坩堝蓋，蓋合于坩堝主體的開口處，且與防爆沸板之間存在容納空間；坩堝蓋包括蒸鍍口，蒸鍍口與坩堝主體的開口連通；掩模體背離坩堝主體的一側在防爆沸板上的垂直投影位于蒸鍍口在防爆沸板上的垂直投影內，掩模體背離坩堝主體的一側與蒸鍍口之間的垂直距離小于或等于預設值。本發明實施例提供的技術方案，可改善膜厚均勻性。

技術領域

本發明涉及鍍膜裝置技術領域，尤其涉及一種蒸鍍坩堝和蒸鍍設備。

背景技術

在半導體器件或裝置的制備過程中，示例性的，在有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)顯示面板的制作過程中，通常會采用蒸鍍工藝來形成膜層。在蒸鍍工藝中，可將待蒸鍍材料放在蒸鍍坩堝內，然后對蒸鍍坩堝加熱，使待蒸鍍材料受熱氣化，氣化的待蒸鍍成膜材料在待蒸鍍襯底基板上沉積，從而在待蒸鍍襯底基板上形成膜層。

但是，目前蒸鍍形成的膜層，在膜層各不同位置處的膜厚差異較大，即膜厚均勻性較差。

發明內容

本發明提供一種蒸鍍坩堝和蒸鍍設備，以改善蒸鍍工藝的膜厚均勻性。

第一方面，本發明實施例提供了一種蒸鍍坩堝，該蒸鍍坩堝包括：

坩堝主體；

防爆沸板，設置于所述坩堝主體的開口處，或者設置于所述坩堝主體內且靠近所述坩堝主體的開口的預設位置處；所述防爆沸板與所述坩堝主體的側壁之間存在間隙，且所述防爆沸板與所述坩堝主體的底部之間存在間隙；

掩模體，所述掩模體朝向所述坩堝主體的一側固定在所述防爆沸板背離所述坩堝主體的一側；

坩堝蓋，蓋合于所述坩堝主體的開口處，且與所述防爆沸板之間存在容納空間；所述坩堝蓋包括蒸鍍口，所述蒸鍍口與所述坩堝主體的開口連通；

所述掩模體背離所述坩堝主體的一側在所述防爆沸板上的垂直投影位于所述蒸鍍口在所述防爆沸板上的垂直投影內，所述掩模體背離所述坩堝主體的一側與所述蒸鍍口之間的垂直距離小于或等于預設值。

第二方面，本發明實施例還提供了一種蒸鍍設備，該蒸鍍設備包括第一方面提供的蒸鍍坩堝。

本發明實施例提供的蒸鍍坩堝包括坩堝主體、防爆沸板、掩模體和坩堝蓋，通過設置防爆沸板可防止待蒸鍍材料突沸，可匯集蒸汽流，可保證蒸鍍坩堝內待蒸鍍材料分壓穩定；通過設置掩模體，并設置掩模體與坩堝蓋的蒸鍍口之間的垂直距離小于或等于預設值，可利用掩模體調整蒸汽流由蒸鍍口逸出時的蒸發角度，從而可使蒸鍍口的不同位置處逸出的待蒸鍍材料在襯底基板上的厚度互補疊加，可改善膜層厚度均勻性。

附圖說明

圖1為現有技術提供的一種蒸鍍坩堝的蒸鍍原理示意圖；

圖2為本發明實施例提供的一種蒸鍍坩堝的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的另一種蒸鍍坩堝的結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的蒸鍍坩堝的蒸鍍原理示意圖；

圖5為圖2中坩堝蓋與掩模體的結構示意圖；

圖6為本發明實施例提供的又一種蒸鍍坩堝的結構示意圖；

圖7為本發明實施例提供的又一種蒸鍍坩堝的結構示意圖；

圖8為本發明實施例提供的又一種蒸鍍坩堝的結構示意圖；