[發(fā)明專利]一種蒸鍍坩堝和蒸鍍設(shè)備

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• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110344004A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚祥
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種蒸鍍坩堝，其特征在于，包括：

坩堝主體；

防爆沸板，設(shè)置于所述坩堝主體的開口處，或者設(shè)置于所述坩堝主體內(nèi)且靠近所述坩堝主體的開口的預(yù)設(shè)位置處；所述防爆沸板與所述坩堝主體的側(cè)壁之間存在間隙，且所述防爆沸板與所述坩堝主體的底部之間存在間隙；

掩模體，所述掩模體朝向所述坩堝主體的一側(cè)固定在所述防爆沸板背離所述坩堝主體的一側(cè)；

坩堝蓋，蓋合于所述坩堝主體的開口處，且與所述防爆沸板之間存在容納空間；所述坩堝蓋包括蒸鍍口，所述蒸鍍口與所述坩堝主體的開口連通；

所述掩模體背離所述坩堝主體的一側(cè)在所述防爆沸板上的垂直投影位于所述蒸鍍口在所述防爆沸板上的垂直投影內(nèi)，所述掩模體背離所述坩堝主體的一側(cè)與所述蒸鍍口之間的垂直距離小于或等于預(yù)設(shè)值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述蒸鍍口與所述防爆沸板之間的垂直距離為L1，所述掩模體背離所述坩堝主體的一側(cè)與所述防爆沸板之間的垂直距離為L2，且L1≤L2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述蒸鍍口與所述掩模體背離所述坩堝主體的一側(cè)之間的垂直距離可調(diào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述坩堝蓋包括角度板，所述角度板遠(yuǎn)離所述坩堝主體的一側(cè)形成所述蒸鍍口；

沿第一方向，所述角度板的高度可調(diào)；

所述第一方向垂直于所述坩堝主體的開口所在的平面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述坩堝蓋還包括坩堝蓋體，所述坩堝蓋體的一側(cè)開口與所述坩堝主體的開口蓋合連通，所述坩堝蓋體的另一側(cè)開口與所述角度板靠近所述坩堝主體的一側(cè)連通；

所述角度板包括依次嵌套可伸縮的至少兩個(gè)第一連接部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，在所述蒸鍍坩堝的中心軸所在的平面內(nèi)，所述坩堝蓋體呈折線型。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，在所述蒸鍍坩堝的中心軸所在的平面內(nèi)，沿遠(yuǎn)離所述坩堝主體的方向，各所述第一連接部的寬度依次減小。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，沿第一方向，所述掩模體的高度可調(diào)；

所述第一方向垂直于所述坩堝主體的開口所在的平面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述掩模體包括依次嵌套可伸縮的至少兩個(gè)第二連接部。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述掩模體的形狀包括圓臺形，所述掩模體遠(yuǎn)離所述坩堝主體的一側(cè)在所述防爆沸板所在平面內(nèi)的垂直投影位于所述掩模體靠近所述坩堝主體的一側(cè)在所述防爆沸板所在平面內(nèi)的垂直投影內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述掩模體的形狀包括圓臺形，所述掩模體靠近所述坩堝主體的一側(cè)在所述防爆沸板所在平面內(nèi)的垂直投影位于所述掩模體遠(yuǎn)離所述坩堝主體的一側(cè)在所述防爆沸板所在平面內(nèi)的垂直投影內(nèi)；

所述掩模體遠(yuǎn)離所述坩堝主體的一側(cè)與所述防爆沸板之間的垂直距離為L3，所述蒸鍍口與所述防爆沸板之間的垂直距離為L4，L3＞L4。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述掩模體的側(cè)面與所述防爆沸板所在的平面的銳角夾角小于預(yù)設(shè)角度值。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述掩模體的數(shù)量為至少一個(gè)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，還包括加熱柱；

所述加熱柱設(shè)置于所述坩堝主體與所述防爆沸板形成的空間中。