[發(fā)明專利]版圖修正方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910809085.0 | 申請日: | 2019-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN110515267B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉洋;劉建忠;顧曉敏 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/72 | 分類號: | G03F1/72;G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 版圖 修正 方法 | ||
1.一種版圖修正方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取原始版圖,所述原始版圖中包括至少兩個目標圖案,所述目標圖案中包括有第一圖形和第二圖形,第一圖形為條形結構,所述第一圖形和所述第二圖形連接,所述目標圖案的第一圖形的一側或兩側設置有另一目標圖案的第二圖形,并且,所述目標圖案的第二圖形與所述另一目標圖案的第二圖形間隔設置;將所述第一圖形遠離與其連接的所述第二圖形一側的邊長的延伸方向定義為第一方向,將所述第一圖形側邊的延伸方向定義為第二方向;
在所述目標圖案第一圖形靠近第二圖形的側邊上添加至少一個修正圖形,以增加所述目標圖案中第一圖形靠近所述第二圖形部分的寬度尺寸;在所述目標圖案第一圖形靠近第二圖形的側邊上添加至少一個修正圖形的方法包括:以所述目標圖案的第一圖形和第二圖形的連接處為起點,沿著所述第二方向,在所述目標圖案的第一圖形的側邊上依次添加修正圖形一、修正圖形二...修正圖形n,直至所述修正圖形n與所述另一目標圖案的第二圖形之間的距離小于第一閾值,第一閾值介于30nm-70nm之間;
其中,所述修正圖形一、修正圖形二......修正圖形n在第一方向上的寬度尺寸逐漸遞減,所述修正圖形一在第二方向上的寬度尺寸大于等于所述目標圖案的第二圖形與所述另一目標圖案的第二圖形間距的二分之一。
2.如權利要求1所述的版圖修正方法,其特征在于,所述第一圖形與所述第二圖形的連接處位于所述第二圖形的邊緣部位,或者,位于所述第二圖形的非邊緣部位。
3.如權利要求1所述的版圖修正方法,其特征在于,所述第二圖形在第一方向上的寬度尺寸與所述第一圖形在第一方向上的寬度尺寸之比小于等于10,大于等于5。
4.如權利要求1所述的版圖修正方法,其特征在于,所述圖形一、圖形二......圖形n在第二方向上的寬度尺寸之和大于等于所述第二圖形在第二方向上的寬度尺寸。
5.如權利要求1所述的版圖修正方法,其特征在于,所述修正圖形一和所述圖形一在第一方向上的寬度尺寸小于等于所述第二圖形在第一方向上的寬度尺寸的五分之一。
6.如權利要求1所述的版圖修正方法,其特征在于,所述至少一個修正圖形和所述至少一個圖形為矩形。
7.如權利要求3所述的版圖修正方法,其特征在于,所述第一圖形在所述第一方向上的寬度尺寸介于所述原始版圖中最小線寬的1-2倍之間。
8.如權利要求1所述的版圖修正方法,其特征在于,所述至少一個修正圖形不與另一目標圖案重疊。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





