[發明專利]四硫鈷酸鎳/氫氧化鈷納米片陣列結構復合材料及其制備與應用有效
| 申請號： | 201910807304.1 | 申請日： | 2019-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN110526304B | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 鄭華均;宋劍蘭;葉笑穎;葉偉青 | 申請（專利權）人： | 浙江工業大學 |
| 主分類號： | C01G53/00 | 分類號： | C01G53/00;C01G51/04;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 黃美娟;朱思蘭 |
| 地址： | 310014 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 四硫鈷酸鎳 氫氧化 納米 陣列 結構 復合材料 及其 制備 應用 | ||
1.一種NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，按如下方法制備得到：
(1)將鈷鹽、鎳鹽溶于甲醇，得到金屬鹽溶液，將二甲基咪唑溶于甲醇，得到有機配體溶液，將金屬鹽溶液和有機配體溶液混合均勻，放入基體材料，于100～130℃下反應2～4h，得到負載有鈷鎳雙金屬有機配體前驅體的基體材料；
所述鈷鹽、鎳鹽的物質的量之比為1:0.25～4；
所述鈷鹽、鎳鹽合計物質的量與二甲基咪唑的物質的量之比為1:2～6；
(2)將步驟(1)所得負載有鈷鎳雙金屬有機配體前驅體的基體材料放入硫化鈉水溶液中，于100～160℃下反應2～14h，之后取出經洗滌、干燥，得到所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料。
2.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，步驟(1)中，所述鈷鹽、鎳鹽的物質的量之比為1:0.5～1.5。
3.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，步驟(1)中，所述鈷鹽、鎳鹽合計物質的量與二甲基咪唑的物質的量之比為1:2。
4.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，步驟(1)中，所述金屬鹽溶液中，鈷鹽的濃度為10～30mmol/L。
5.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，步驟(1)中，所述有機配體溶液中，二甲基咪唑的濃度為25～900mmol/L。
6.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，步驟(1)中，所述鈷鹽或鎳鹽為鈷或鎳的硝酸鹽、硫酸鹽或醋酸鹽。
7.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，步驟(1)中，所述基體材料為：碳布、氧化石墨烯片或泡沫鎳；
8.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料，其特征在于，步驟(2)中，所述硫化鈉水溶液的濃度在5～120mmol/L。
9.如權利要求1所述NiCo2S4/Co(OH)2納米片陣列結構復合材料作為超級電容器的電極材料的應用。
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