[發(fā)明專利]一種基于IGBT模塊的母排的新型制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910805965.0 | 申請日: | 2019-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN110534437B | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宗榮生;戴赟彬;白艷;侯廣西;蔣超 | 申請(專利權(quán))人: | 宜興市三鑫電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 無錫市天宇知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32208 | 代理人: | 蔣何棟 |
| 地址: | 214241 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 igbt 模塊 新型 制備 工藝 | ||
本發(fā)明公開了一種基于IGBT模塊的母排的新型制備工藝,可以實(shí)現(xiàn)在進(jìn)行母排和電極等電子元器件時(shí),拋棄傳統(tǒng)的焊盤形式,采用新型的定位筒形式,通過預(yù)先設(shè)計(jì)的延伸型導(dǎo)電件,一方面實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電性連接,另一方面可以代替現(xiàn)有的工裝實(shí)現(xiàn)初定位作用,在滴加焊膏后直接進(jìn)入焊接工序,大幅降低成本和裝配的繁瑣性,使用的焊膏量與傳統(tǒng)工藝比較大幅減少,僅需要極少量的焊膏滴加至定位筒中,即可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)、穩(wěn)定的焊接,進(jìn)而降低后續(xù)工藝的清洗壓力,甚至在滴加量嚴(yán)格控制的情況下達(dá)到免清洗的地步,采用新型工藝制備的IGBT模塊在成本和效率上具有無可比擬的優(yōu)勢,且規(guī)避了許多影響產(chǎn)品質(zhì)量的因素,具有極高的市場推廣價(jià)值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種基于IGBT模塊的母排的新型制備工藝。
背景技術(shù)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。
目前國內(nèi)外的各種IGBT模塊,其焊接工藝分為兩次焊接和三次焊接兩種。傳統(tǒng)工藝為兩次焊接工藝的焊接方式為:1、先將所需芯片焊接在襯板上,得到襯板組件;2、將襯板組件、母排、彈簧引線和基板焊接在一起,得到IGBT模塊。
這種焊接工藝是基于焊膏進(jìn)行的焊接,由于大量使用焊膏,焊接后得到的IGBT模塊內(nèi)殘留有大量的助焊劑,對產(chǎn)品的質(zhì)量造成不利影響,因此對焊接后的清洗過程要求很高,清洗的時(shí)間非常長,效率很低,不能適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)的要求。
為了解決上述問題,目前國內(nèi)外一些IGBT模塊制造企業(yè)普遍采用了三次焊接的工藝,三次焊接工藝的焊接方式為:1、將所需芯片焊接在襯板上,得到襯板組件;2、將襯板組件和基板焊接在一起,得到基板組件;3、在基板組件和母排、彈簧引線之間進(jìn)行焊接,以及在基板組件和側(cè)框之間涂膠固化,即所謂的一體化焊接和固化過程,之后得到IGBT模塊。
其中前兩次焊接過程采用焊片進(jìn)行焊接,第三次焊接采用焊膏并同側(cè)框涂膠固化過程結(jié)合在一起進(jìn)行,這樣焊接工序沒有增加,但由于大大減少了焊膏的使用,對焊接后的清洗過程的要求大幅降低,清洗時(shí)間大幅縮短,因此適應(yīng)了大批量生產(chǎn)的要求,但是在焊接過程中還是不可避免的會(huì)需要工裝或者制具對芯片、母排等電子元器件進(jìn)行定位固定,方能保證焊接質(zhì)量,然而工裝的安裝和拆卸需要耗費(fèi)大量的人力物力及時(shí)間,極大的降低了焊接效率,即使市面出現(xiàn)了無需拆卸的保留式工裝,無疑增加了焊接成本,且空間利用率上大打折扣。
發(fā)明內(nèi)容
1.要解決的技術(shù)問題
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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