[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法在審
| 申請號: | 201910805763.6 | 申請日: | 2019-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN110690257A | 公開(公告)日: | 2020-01-14 |
| 發明(設計)人: | 陳宇懷;黃志杰;蘇智昱 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 35214 福州市博深專利事務所(普通合伙) | 代理人: | 張明 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 源層 漏極金屬層 陣列基板 絕緣層 薄膜晶體管溝道 邊框 柵極絕緣層 高解析度 柔性面板 蝕刻制程 顯示面板 相對設置 整體器件 鈍化層 抗彎折 面積和 成膜 畫素 面型 源極 制程 填充 相通 占用 應用 制造 | ||
本發明涉及陣列基板技術領域,特別涉及一種TFT陣列基板及其制造方法,通過將有源層設置在第一漏極金屬層和第一鈍化層之間,能夠避免有源層受到第一漏極金屬層成膜以及蝕刻制程破壞形成共面型的TFT結構;通過在第一源極絕緣層上設置第一過孔,柵極絕緣層上設置第二過孔,第二過孔與第一過孔相對設置且相通,第一過孔和第二過孔中均填充有源層,可以縮短薄膜晶體管溝道制程的臨界尺寸從而達到縮小整體器件的占用面積,能夠有效提高陣列基板抗彎折能力,而且還能夠降低畫素面積和顯示面板邊框尺寸,更適合應用在高解析度柔性面板中。
技術領域
本發明涉及陣列基板技術領域,特別涉及一種TFT陣列基板及其制造方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱為OLED)具有自發光、廣視角、高對比度、低耗電、高響應速率、全彩化和制程簡單等優點,且使用柔性背板材料的(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,簡稱為AMOLED)可使顯示器產品更輕或更薄,可彎曲和不易折損是OLED未來顯示發展的趨勢。
目前,OLED的發光效率和穩定性已經能夠滿足中小尺寸顯示的要求,并廣泛應用在儀表和智能手機領域;大尺寸的OLED電視機也已開始進入市場。由于OLED是全固態的薄膜器件,且采用有機材料和無定形材料制備,因而在柔性器件方面具有天然的優勢,也使其成為可穿戴智能設備領域中重要的技術。OLED為全固態的器件,在進行彎曲折疊的過程中亦能正常工作,因此易于制備柔性器件。
從技術發展階段來看,柔性顯示可分為可彎曲屏幕、可折疊屏幕和自由柔性屏幕三個階段。目前,OLED顯示技術的主流是有源驅動OLED(AMOLED)技術。大部分的柔性OLED產品都還處在初級的可彎曲屏幕階段,而這一階段的研發也主要圍繞著柔性基板、柔性TFT背板、柔性OLED發光層與薄膜封裝這幾個關鍵技術點來進行。如何在柔性顯示器上制造類玻璃封裝般的高信賴性封裝結構且具備撓曲特性,是提高柔性AMOLED壽命最重要的課題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:提供一種能夠有效提高陣列基板抗彎折能力的TFT陣列基板及其制造方法。
為了解決上述技術問題,本發明采用的第一種技術方案為:
一種TFT陣列基板,包括TFT區域結構,所述TFT區域結構包括第一玻璃基板,在所述第一玻璃基板表面上依次層疊設有第一柔性襯底、第一水氧阻隔層、第一緩沖層、第一源極金屬層、第一源極絕緣層、柵極金屬層、柵極絕緣層、第一漏極金屬層、有源層和第一鈍化層;
所述第一源極絕緣層上設有第一過孔,所述柵極絕緣層上設有第二過孔,所述第二過孔與所述第一過孔相對設置且相通,所述第一過孔和第二過孔中均填充有所述有源層,所述第一過孔中填充的有源層與所述第一源極金屬層接觸。
本發明采用的第二種技術方案為:
一種TFT陣列基板的制造方法,包括以下步驟:
S1、提供一TFT區域結構的第一玻璃基板,且在所述第一玻璃基板表面覆蓋有第一柔性襯底;
S2、形成第一水氧阻隔層,且覆蓋于所述第一柔性襯底表面;
S3、形成第一緩沖層,且覆蓋于所述第一水氧阻隔層表面;
S4、形成第一源極金屬層,且覆蓋于所述第一緩沖層表面;
S5、形成第一源極絕緣層,且覆蓋于所述第一源極金屬層表面;
S6、形成柵極金屬層,且覆蓋于所述第一源極絕緣層表面;
S7、形成柵極絕緣層,且覆蓋于所述柵極金屬層表面;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





