[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201910805763.6
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110690257A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 陳宇懷;黃志杰;蘇智昱
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 35214 福州市博深專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 張明

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括TFT區域結構，所述TFT區域結構包括第一玻璃基板，在所述第一玻璃基板表面上依次層疊設有第一柔性襯底、第一水氧阻隔層、第一緩沖層、第一源極金屬層、第一源極絕緣層、柵極金屬層、柵極絕緣層、第一漏極金屬層、有源層和第一鈍化層；

所述第一源極絕緣層上設有第一過孔，所述柵極絕緣層上設有第二過孔，所述第二過孔與所述第一過孔相對設置且相通，所述第一過孔和第二過孔中均填充有所述有源層，所述第一過孔中填充的有源層與所述第一源極金屬層接觸。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT區域結構還包括蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層設置在所述有源層和第一鈍化層之間，所述蝕刻阻擋層分別與所述有源層遠離第一玻璃基板的一側面和第一鈍化層靠近第一玻璃基板的一側面接觸。

3.根據權利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT區域結構還包括頂柵極金屬層，所述頂柵極金屬層設置在所述蝕刻阻擋層和第一鈍化層之間且所述頂柵極金屬層分別與所述蝕刻阻擋層和第一鈍化層接觸。

4.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括電容區域結構，所述電容區域結構包括第二玻璃基板，在所述第二玻璃基板表面上依次層疊設有第二柔性襯底、第二水氧阻擋層、第二緩沖層和第二源極金屬層，所述第二緩沖層上設有兩個以上的第三過孔，且兩個以上的所述第三過孔中均填充有第二源極金屬層，所述第三過孔中填充的第二源極金屬層與所述第二水氧阻隔層遠離所述第二玻璃基板的一側面接觸，所述第二源極金屬層遠離所述第一玻璃基板的一側面上依次層疊設有第二源極絕緣層、第二漏極金屬層和第二鈍化層。

5.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第三過孔的豎直截面的形狀為等腰梯形。

6.一種TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供一TFT區域結構的第一玻璃基板，且在所述第一玻璃基板表面覆蓋有第一柔性襯底；

S2、形成第一水氧阻隔層，且覆蓋于所述第一柔性襯底表面；

S3、形成第一緩沖層，且覆蓋于所述第一水氧阻隔層表面；

S4、形成第一源極金屬層，且覆蓋于所述第一緩沖層表面；

S5、形成第一源極絕緣層，且覆蓋于所述第一源極金屬層表面；

S6、形成柵極金屬層，且覆蓋于所述第一源極絕緣層表面；

S7、形成柵極絕緣層，且覆蓋于所述柵極金屬層表面；

S8、在所述第一源極絕緣層中形成第一過孔，在所述柵極絕緣層中形成第二過孔，所述第二過孔與所述第一過孔相對設置且相通；

S9、形成第一漏極金屬層，覆蓋于所述柵極絕緣層表面；

S10、形成有源層，覆蓋于第一漏極金屬層表面且所述有源層與所述柵極絕緣層遠離第一玻璃基板的一側面接觸；所述第一過孔和第二過孔中均填充有源層，所述第一過孔中填充的有源層與所述第一源極金屬層遠離第一玻璃基板的一側面接觸；

S11、形成第一鈍化層，覆蓋于所述有源層表面且與所述第一漏極金屬層接觸。

7.根據權利要求6所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S9和步驟S10之間還包括以下步驟：

形成蝕刻阻擋層，且覆蓋于所述有源層表面。

8.根據權利要求7所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S10和步驟S11之間還包括以下步驟：

形成頂柵極金屬層，且覆蓋于所述蝕刻阻擋層表面。