[發(fā)明專利]晶圓的加工設(shè)備和加工系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910803622.0
• 申請日: 2019-08-28
• 公開（公告）號: CN110571169B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王孝進
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 李洋;張穎玲

本申請實施例公開了一種晶圓的加工設(shè)備和加工系統(tǒng)，該加工設(shè)備包括：晶圓放置位，用于放置晶圓；加熱組件，設(shè)置在所述晶圓放置位的至少一個側(cè)面，用于通過發(fā)熱加熱所述晶圓。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)，涉及但不限于一種晶圓的加工設(shè)備和加工系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過程中，需要對晶圓進行多道復(fù)雜的處理工序，為了達到量產(chǎn)需求，每道工藝制程中對每片晶圓的處理時長直接影響了最終的產(chǎn)能效益。在一些需要高溫處理的工藝制程中，往往需要對晶圓進行長時間的加熱，因此，在提升產(chǎn)能的需求下，如何減少高溫制程的處理時長是半導(dǎo)體制造工藝中重要的改進方向之一。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請實施例提供一種晶圓的加工設(shè)備和加工系統(tǒng)。

第一方面，本申請?zhí)峁┮环N加工設(shè)備，包括：

晶圓放置位，用于放置晶圓；

加熱組件，設(shè)置在所述晶圓放置位的至少一個側(cè)面，用于通過發(fā)熱加熱所述晶圓。

在一些實施例中，所述加工設(shè)備還包括：

具有多層結(jié)構(gòu)的承載架，包括至少一個所述晶圓放置位；

所述加熱組件，環(huán)狀分布于所述圓形承載架的側(cè)面。

在一些實施例中，所述加工設(shè)備還包括：

第一升降結(jié)構(gòu)，用于調(diào)整所述加熱組件的高度；

其中，當所述加熱組件的底部高于所述承載架的頂部，或，當所述加熱組件的頂部低于所述承載架的底部時，所述晶圓由水平方向移入或移出所述承載架。

在一些實施例中，所述加工設(shè)備還包括：

第二升降結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述承載架下方，用于調(diào)整所述承載架的高度；

其中，當所述承載架的底部高于所述加熱組件時，所述晶圓由水平方向移入或移出所述承載架。

在一些實施例中，所述加熱組件為兩組半圓環(huán)形電熱絲拼接形成的圓環(huán)形；

其中，當所述兩組半圓環(huán)形的電熱絲位于相互分離的第一位置時，所述晶圓由水平方向移入或移出所述承載架。

在一些實施例中，所述加工設(shè)備還包括：

腔體，用于容納所述晶圓放置位和所述加熱組件；

運動臂，用于將所述晶圓移入或移出所述腔體，和/或，用于將所述容納結(jié)構(gòu)移入或移出所述腔體。

在一些實施例中，所述加工設(shè)備還包括：

排氣組件，用于在所述腔體密封時，排出所述腔體內(nèi)部的氣體。

在一些實施例中，所述加工設(shè)備還包括：

進氣組件，用于向所述腔體內(nèi)部輸送氣體；

其中，所述氣體用于使所述晶圓的表面進行氣相外延生長反應(yīng)，或，用于使所述晶圓的表面進行退火反應(yīng)。

第二方面，本申請還提供一種晶圓的加工系統(tǒng)，包括：

第一反應(yīng)倉，用于對晶圓進行氣相外延生長反應(yīng)；其中，所述第一反應(yīng)倉包括上述任一種晶圓的加工設(shè)備，所述第一反應(yīng)倉包括第一進氣組件，用于向所述第一反應(yīng)倉的腔體內(nèi)部輸送第一氣體；所述第一氣體用于使晶圓的表面進行氣相外延生長反應(yīng)；

第二反應(yīng)倉，用于對晶圓進行退火反應(yīng)；其中，第二反應(yīng)倉包括上述任一種晶圓的加工設(shè)備，所述第二反應(yīng)倉包括第二進氣組件，用于向所述第二反應(yīng)倉的腔體內(nèi)部輸送第二氣體；所述第二氣體用于使晶圓的表面進行退火反應(yīng)。