[發明專利]晶圓的加工設備和加工系統有效
| 申請號: | 201910803622.0 | 申請日: | 2019-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN110571169B | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 王孝進 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 李洋;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 設備 系統 | ||
1.一種晶圓的加工設備,其特征在于,所述加工設備包括:
晶圓放置位,用于放置晶圓;
加熱組件,環狀分布于所述晶圓放置位的側面,用于通過發熱加熱所述晶圓;所述加熱組件為兩組半圓環形電熱絲拼接形成的圓環形;其中,當所述兩組半圓環形的電熱絲位于相互分離的第一位置時,所述晶圓由水平方向移入或移出所述晶圓放置位;
具有多層結構的承載架,包括至少一個所述晶圓放置位;
第一升降結構,用于調整所述加熱組件的高度;
其中,當所述加熱組件的底部高于所述承載架的頂部,或,當所述加熱組件的頂部低于所述承載架的底部時,所述晶圓由水平方向移入或移出所述承載架。
2.根據權利要求1所述的加工設備,其特征在于,所述加工設備還包括:
第二升降結構,設置于所述承載架下方,用于調整所述承載架的高度;
其中,當所述承載架的底部高于所述加熱組件時,所述晶圓由水平方向移入或移出所述承載架。
3.根據權利要求1或2任一所述的加工設備,其特征在于,所述加工設備還包括:
腔體,用于容納所述承載架和所述加熱組件;
運動臂,用于將所述晶圓移入或移出所述腔體,和/或,用于將所述承載架移入或移出所述腔體。
4.根據權利要求3所述的加工設備,其特征在于,所述加工設備還包括:
排氣組件,用于在所述腔體密封時,排出所述腔體內部的氣體。
5.根據權利要求3所述的加工設備,其特征在于,所述加工設備還包括:
進氣組件,用于向所述腔體內部輸送氣體;
其中,所述氣體用于使所述晶圓的表面進行氣相外延生長反應,或,用于使所述晶圓的表面進行退火反應。
6.一種晶圓的加工系統,其特征在于,所述加工系統包括:
第一反應倉,用于對晶圓進行氣相外延生長反應;其中,所述第一反應倉包括上述權利要求1至4任一種晶圓的加工設備,所述第一反應倉包括第一進氣組件,用于向所述第一反應倉的腔體內部輸送第一氣體;所述第一氣體用于使所述晶圓的表面進行氣相外延生長反應;
第二反應倉,用于對晶圓進行退火反應;其中,第二反應倉包括上述權利要求1至4任一種晶圓的加工設備,所述第二反應倉包括第二進氣組件,用于向所述第二反應倉的腔體內部輸送第二氣體;所述第二氣體用于使所述晶圓的表面進行退火反應。
7.根據權利要求6所述的加工系統,其特征在于,所述加工系統還包括:
緩沖倉,連接所述第一反應倉和所述第二反應倉,用于暫存所述晶圓;
所述緩沖倉中包括:搬運部件,用于將所述晶圓移入或移出所述第一反應倉,和/或,用于將所述晶圓移入或移出所述第二反應倉。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長江存儲科技有限責任公司,未經長江存儲科技有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910803622.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





