[發明專利]一種提高量子效率的CMOS圖像傳感器像素制作方法在審

申請號：	201910801765.8	申請日：	2019-08-28
公開（公告）號：	CN112447775A	公開（公告）日：	2021-03-05
發明（設計）人：	徐江濤;王瑞碩;夏夢真;史興萍;李鳳	申請（專利權）人：	天津大學青島海洋技術研究院
主分類號：	H01L27/146	分類號：	H01L27/146
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	266200 山東省青島市鰲***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種提高量子效率 cmos 圖像傳感器像素制作方法
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【權利要求書】：

1.一種提高量子效率的CMOS圖像傳感器像素制作方法，其特征在于：首先在柵形成前在襯底底部進行一次高濃度的P型離子注入，形成P++區域，即在原PPD區域下方的中性區增加一個耗盡區，并且襯底施加負壓，使得形成的兩個耗盡區域相連；傳輸柵形成后，采用自對準技術注入N型離子，形成PPD的N-感光區和FD區域；當較長波長的光照射到PPD區域時，半導體材料中價帶的電子吸收光子的能量，從價帶越過禁帶到達導帶，從而形成光生電子-空穴對，即光生載流子，在耗盡區電場的作用下，光生電子被收集在PPD區域，而光生空穴被襯底吸收；在耗盡區底部的中性區內被吸收的光子產生的光生電荷不能被PPD區域收集。

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