[發明專利]顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法有效
| 申請號: | 201910801010.8 | 申請日: | 2019-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN110600513B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 王雷;陳澤升 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 制作方法 | ||
本發明提供一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法。顯示面板包括從下至上依次層疊設置的源漏極層、第一平坦層、第二平坦層、陽極層、發光功能層和陰極層。所述第二平坦層具有遮光結構及由所述遮光結構圍繞形成的第一凹槽。顯示面板的制作方法包括步驟:制作一源漏極層、制作第一平坦層、制作第二平坦層、制作陽極層、制作發光功能層、制作陰極層。顯示裝置包括上述顯示面板。本發明通過所述第二平坦層用于阻擋所述發光功能層的側向出光,防止了邊緣漏光現象;并提高了有機發光二極管顯示面板的出光效率。
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于其重量輕、自發光、廣視角、低驅動電壓、高發光效率、低功耗、響應速度快等優點,應用范圍越來越廣泛。
傳統的有機發光二極管顯示面板包括陣列基板和位于其上的發光功能層,其中陣列基板結構包括從下至上依次層疊設置的平坦層、陽極層、像素定義層和支撐層。一方面由于像素定義層的透光性強,因此對于發光功能層的側向出光無法做到有效的阻擋,從而使得側向出光在顯示面板內經過金屬層的反射以及其他膜層的折射轉變為一種雜散光,對于指紋識別等生物識別技術來說降低了產品的信噪比,使得識別能力降低。另一方面,由于發光功能層本身出光沿著各個方向進行,經過像素定義層等膜層的吸收和折射造成光損失,因此出光效率低于20%。為了得到較高的使用亮度必須使得電源功率提高,因此耗電量增大,降低了電池的使用壽命。
因此,有必要提供一種新的顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法,以克服現有技術中存在的問題。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法,提高了有機發光二極管顯示面板的出光效率并且防止了邊緣漏光現象,從而降低了電源功率和耗電量,提升了電池的使用壽命。
為了實現上述目的,本發明提供一種顯示面板,包括從下至上依次層疊設置的源漏極層、第一平坦層、第二平坦層、陽極層、發光功能層和陰極層。具體地講,所述第一平坦層設于所述源漏極層上;所述第二平坦層圖樣化設于所述第一平坦層上;所述第二平坦層具有遮光結構及由所述遮光結構圍繞形成的第一凹槽;所述陽極層設于所述第二平坦層上;所述陽極層完全覆蓋所述第一凹槽并延伸部分覆蓋所述第二平坦層;所述發光功能層設于所述第一凹槽內的所述陽極層上;所述陰極層設于所述第一凹槽內的所述發光功能層上。
進一步地,所述第一凹槽的第一斜面與所述第一平坦層上表面形成的夾角為45°-55°,所述第一斜面為所述第二平坦層形成的斜面。
進一步地,所述顯示面板還包括像素定義層,所述像素定義層設于所述第二平坦層和所述陽極層上;所述第一凹槽在部分填充所述像素定義層后形成第二凹槽,所述第二凹槽環繞所述第一凹槽設置并在所述第二凹槽的底面裸露所述陽極層;其中,所述發光功能層設于所述第二凹槽內的所述陽極層上;所述陰極層設于所述第二凹槽內的所述發光功能層上。
進一步地,所述第二凹槽的第二斜面與所述陽極層上表面形成的夾角為45°-55°,所述第二斜面為所述像素定義層形成的斜面。
進一步地,所述第一凹槽或所述第二凹槽的截面形狀為倒梯形。
進一步地,覆蓋所述第一凹槽的第一斜面的所述陽極層與其相鄰的所述發光功能層之間的距離為1um-2um。
進一步地,所述第二平坦層的厚度為1um-1.5um。
本發明還提供一種顯示面板的制作方法,包括以下步驟:
制作一源漏極層;
制作第一平坦層,在所述源漏極層上制作第一平坦層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





