[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910800124.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110504292B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王瑞彬;朱陽(yáng)杰;朱修劍;田小冬;張羊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山國(guó)顯光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 李小波;劉芳 |
| 地址: | 215300 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:襯底基板、金屬走線、絕緣層及犧牲電路;所述金屬走線朝向所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有絕緣層,所述絕緣層設(shè)置有至少一個(gè)過(guò)孔;所述絕緣層朝向襯底基板的一側(cè)設(shè)置有犧牲電路,所述犧牲電路通過(guò)所述至少一個(gè)過(guò)孔與所述金屬走線連接;
其中,所述襯底基板具有避讓區(qū)域,所述避讓區(qū)域?yàn)椴辉O(shè)置有效電路結(jié)構(gòu)的區(qū)域,所述犧牲電路設(shè)置在所述避讓區(qū)域,所述金屬走線具有延伸部,所述延伸部位于非顯示區(qū)且與所述避讓區(qū)域相對(duì)設(shè)置,所述延伸部通過(guò)所述過(guò)孔與所述犧牲電路連接,所述犧牲電路用于吸引所述金屬走線積累的電荷,以使得電化學(xué)腐蝕發(fā)生在所述避讓區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述襯底基板具有顯示區(qū)以及非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)位于所述顯示區(qū)的外圍;所述避讓區(qū)域設(shè)置在所述非顯示區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述避讓區(qū)域位于金手指端的周?chē)?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬走線至少有一個(gè)端部形成所述延伸部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述延伸部通過(guò)多個(gè)間隔分布的所述過(guò)孔與所述犧牲電路連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,多個(gè)所述過(guò)孔均勻分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述犧牲電路包括由金屬材料制成的犧牲走線。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求8所述的顯示面板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昆山國(guó)顯光電有限公司,未經(jīng)昆山國(guó)顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910800124.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置
- 下一篇:顯示基板及其制作方法、顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





