[發(fā)明專利]包括接觸件和與接觸件側(cè)壁交界的導(dǎo)電線的半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910795799.0
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN110890345A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁起豪
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/48
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

公開了一種半導(dǎo)體裝置，包括：襯底；順序地堆疊在襯底上的第一介電層和第二介電層；接觸件，其穿透第一介電層并朝向襯底延伸；以及導(dǎo)電線，其設(shè)置在第二介電層中并電連接到接觸件。導(dǎo)電線在第一方向上延伸。接觸件包括位于第一介電層中的下段和位于第二介電層中的上段。導(dǎo)電線在第二方向上的寬度隨著距襯底的距離減小而減小。第二方向與第一方向相交。接觸件的上段的側(cè)壁與導(dǎo)電線接觸。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2018年9月11日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2018-0108392的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體裝置中的互連結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置因為其小尺寸、多功能和/或低制造成本而廣泛地應(yīng)用于電子工業(yè)中。半導(dǎo)體裝置可以包含用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器裝置、用于處理數(shù)據(jù)的邏輯裝置和用于同時操作各種功能的混合裝置。

隨著電子工業(yè)的先進開發(fā)，半導(dǎo)體裝置已經(jīng)越來越多地用于高度集成。由于在限定精細圖案的曝光工藝中存在工藝裕度減小的問題，因此，越來越難以制造半導(dǎo)體裝置。隨著電子工業(yè)的先進開發(fā)，半導(dǎo)體裝置也已經(jīng)越來越多地用于高速度。已經(jīng)進行了各種研究以滿足半導(dǎo)體裝置中的高度集成和/或高速度的需求。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例可以提供一種包括接觸件和與接觸件側(cè)壁交界的導(dǎo)電線的半導(dǎo)體裝置。依據(jù)這些實施例，半導(dǎo)體裝置可以包括襯底以及順序地堆疊在襯底上的第一介電層和第二介電層。接觸件可以穿透第一介電層并朝向襯底延伸，該接觸件可以包括位于第一介電層中的下段和位于第二介電層中的上段。導(dǎo)電線可以在第二介電層中在第一方向上延伸并電連接到接觸件。接觸件的上段的側(cè)壁與導(dǎo)電線接觸。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例，半導(dǎo)體裝置可以包括襯底以及順序地堆疊在襯底上的第一介電層和第二介電層。接觸件可以穿透第一介電層并朝向襯底延伸。導(dǎo)電線可以設(shè)置在第二介電層中并電連接到接觸件，其中，導(dǎo)電線在第一方向上延伸，其中，接觸件可以包括位于第一介電層中的下段和位于第二介電層中的上段，其中，接觸件的上段在第二方向上的寬度隨著距襯底的距離減小而增大，第二方向與第一方向相交，其中導(dǎo)電線在第二方向上的寬度隨著距襯底的距離減小而減小。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例，半導(dǎo)體裝置可以包括順序地堆疊在襯底上的第一介電層和第二介電層以及穿過第一介電層并朝向襯底延伸的接觸件。導(dǎo)電線可以位于第二介電層中并電連接到接觸件，其中，導(dǎo)電線在第一方向上延伸，其中，接觸件包括位于第一介電層中的下段和位于第二介電層中的上段。導(dǎo)電線可以包括凹陷部，所述凹陷部位于導(dǎo)電線的最下表面中并在遠離襯底的方向上凹陷，接觸件的上段與凹陷部接觸。

附圖說明

圖1A示出了展示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖1B示出了沿圖1A的線A-A’截取的截面圖。

圖1C示出了沿圖1A的線B-B’截取的截面圖。

圖1D示出了沿圖1A的線C-C’截取的截面圖。

圖2A、圖3A和圖4A示出了展示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的平面圖。

圖2B、圖3B和圖4B分別示出了沿圖2A、圖3A和圖4A的線A-A’截取的截面圖。

圖4C示出了沿圖4A的線B-B’截取的截面圖。

圖4D示出了沿圖4A的線C-C’截取的截面圖。

圖5A示出了展示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖5B示出了沿圖5A的線A-A’截取的截面圖。