[發明專利]包括接觸件和與接觸件側壁交界的導電線的半導體裝置

在審

• 申請號: 201910795799.0
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN110890345A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 梁起豪
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/48
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

順序地堆疊在所述襯底上的第一介電層和第二介電層；

接觸件，其穿透所述第一介電層并朝向所述襯底延伸，所述接觸件包括位于所述第一介電層中的下段和位于所述第二介電層中的上段；以及

導電線，其在所述第二介電層中在第一方向上延伸，并電連接到所述接觸件，

其中，所述接觸件的上段的側壁與所述導電線接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述接觸件的上段的側壁包括與所述導電線接觸的第一部分和與所述第二介電層接觸的第二部分。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述導電線完全覆蓋所述接觸件的上段的側壁。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述接觸件的上段在第二方向上的寬度隨著距所述襯底的距離減小而增大。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，當從平面上觀看時，所述接觸件的上段的頂表面被所述接觸件的上段的側壁圍繞。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述接觸件的下段在第二方向上的寬度隨著距所述襯底的距離減小而減小。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括位于所述第一介電層與所述接觸件的下段之間的阻擋層。

8.一種半導體裝置，包括：

襯底；

順序地堆疊在所述襯底上的第一介電層和第二介電層；

接觸件，其穿透所述第一介電層并朝向所述襯底延伸；以及

導電線，其設置在所述第二介電層中，并電連接到所述接觸件，所述導電線在第一方向上延伸，

其中，所述接觸件包括位于所述第一介電層中的下段和位于所述第二介電層中的上段，

其中，所述接觸件的上段在第二方向上的寬度隨著距所述襯底的距離減小而增大，所述第二方向與所述第一方向相交，并且

其中，所述導電線在所述第二方向上的寬度隨著距所述襯底的距離減小而減小。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述接觸件的上段的側壁與所述導電線接觸。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述接觸件的上段的側壁包括與所述導電線接觸的第一部分和與所述第二介電層接觸的第二部分。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述導電線在所述第二方向上的最大寬度大于所述接觸件的上段在所述第二方向上的最小寬度。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述導電線在所述第二方向上的最小寬度小于所述接觸件的上段在所述第二方向上的最大寬度。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，所述導電線在所述第二方向上的最大寬度大于所述接觸件的上段在所述第二方向上的最大寬度。

14.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，當從平面上觀看時，所述接觸件的上段的頂表面被所述接觸件的上段的側壁圍繞。

15.一種半導體裝置，包括：

襯底；

順序地堆疊在所述襯底上的第一介電層和第二介電層；

接觸件，其穿透所述第一介電層并朝向所述襯底延伸；以及

導電線，其位于所述第二介電層中并電連接到所述接觸件，所述導電線在所述第一方向上延伸，

其中，所述接觸件包括位于所述第一介電層中的下段和位于所述第二介電層中的上段，

其中，所述導電線包括凹陷部，所述凹陷部位于所述導電線的最下表面中并在遠離所述襯底的方向上凹陷，并且

其中，所述接觸件的上段與所述凹陷部接觸。