[發明專利]一種光刻膠圖案制備方法和陣列基板制備方法

有效

• 申請號: 201910786427.1
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110429029B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 路天;王中來
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種光刻膠圖案制備方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括曝光區和非曝光區；

在所述基底的所述曝光區內設置反射結構，所述反射結構包括反射面，所述反射面位于所述反射結構的側壁上，所述反射面覆蓋所述反射結構的整個側壁；

在所述基底上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋所述曝光區和所述非曝光區；

對所述曝光區內的所述光刻膠層曝光，以使被曝光的光刻膠改性，所述反射結構的反射面對入射到其上的光線進行反射，以增加靠近所述基底處發生改性的光刻膠的體積；所述光刻膠層為正性光刻膠層；所述對所述曝光區內的所述光刻膠層進行曝光之后；同一曝光區，所述光刻膠層靠近所述基底處的改性的光刻膠面積，與所述反射結構與所述基底的接觸面積之和，大于遠離所述基底處光刻膠改性的面積；沿垂直于所述基底，且由所述光刻膠層指向所述基底的方向，所述反射結構的橫截面逐漸增大；

對所述光刻膠層顯影，以形成光刻膠圖案。

2.根據權利要求1所述的光刻膠圖案制備方法，其特征在于，所述光刻膠層的厚度大于所述反射結構的高度。

3.根據權利要求2所述的光刻膠圖案制備方法，其特征在于，在所述基底的曝光區內設置反射結構，包括：

在所述基底上形成反射層；

采用干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝圖案化所述反射層，以形成所述反射結構。

4.根據權利要求1所述的光刻膠圖案制備方法，其特征在于，令垂直于所述基底的平面為第一平面；

所述反射面被所述第一平面所截后得到的線為直線；

所述直線與所述基底所在平面的夾角為30°-80°。

5.根據權利要求1所述的光刻膠圖案制備方法，其特征在于，令垂直于所述基底的平面為第一平面；

所述反射面被所述第一平面所截后得到的線為曲線。

6.根據權利要求1所述的光刻膠圖案制備方法，其特征在于，所述反射結構的材料包括銀、鋁、鉬和銅中的至少一種。

7.一種陣列基板制備方法，其特征在于，采用如權利要求1-6任一項所述的光刻膠圖案制備方法。