[發明專利]一種光刻膠圖案制備方法和陣列基板制備方法

有效

• 申請號: 201910786427.1
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110429029B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 路天;王中來
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

本發明實施例公開了一種光刻膠圖案的制備方法和陣列基板的制備方法。該光刻膠圖案的制備方法包括：提供基底，基底包括曝光區和非曝光區；在基底的曝光區內設置反射結構，反射結構包括反射面，反射面位于反射結構的側壁上；在基底上形成光刻膠層，光刻膠層覆蓋曝光區和非曝光區；對曝光區內的光刻膠層曝光，以使被曝光的光刻膠改性，反射結構的反射面對入射到其上的光線進行反射，以增加靠近基底處發生改性的光刻膠的體積；對光刻膠層顯影，以形成光刻膠圖案。本發明實施例可以改善底層光刻膠的感光，解決現有曝光過程中光刻膠底層感光較弱而使光刻膠圖案存在誤差的問題，保證了光刻膠圖案的準確性，有助于提升光刻質量。

技術領域

本發明實施例涉及顯示技術領域，尤其涉及一種光刻膠圖案的制備方法和陣列基板的制備方法。

背景技術

目前的顯示面板采用陣列基板進行顯示驅動，陣列基板上設置有像素驅動電路以及傳輸信號的數據線和掃描線等，以驅動像素單元發光顯示。現有的數據線、掃描線等信號走線通常采用光刻工藝制備而成。具體地，光刻工藝首先是對光刻膠曝光顯影形成光刻膠圖案，然后利用光刻膠圖案作為掩膜，刻蝕形成信號走線，最后將光刻膠圖案洗除。

目前的光刻工藝進行曝光顯影時，設備的曝光光源為從上到下垂直入射曝光光線，光刻膠表面感光較強而底層的光刻膠感光較弱。因而，相對于所需的坡度角為90°的光刻膠圖案，實際得到改性的光刻膠圖案坡度角并非90°，因而與曝光區需要進行改性的光刻膠存在曝光誤差。進而在顯影完成后，留存的光刻膠圖案也與目標的光刻膠圖案存在誤差，影響了光刻的準確度。以正性光刻膠為例，曝光后感光較強而發生改性的光刻膠優先被洗除，感光較弱而未能改性的光刻膠被留存，導致形成的光刻膠圖案上窄下寬，呈正梯形。正梯形的光刻膠圖案會導致光刻的圖形中線寬加寬，采用該光刻方法制備的信號線其導電線性能存在誤差。

發明內容

本發明提供一種光刻膠圖案的制備方法和陣列基板的制備方法，以改善底層光刻膠的感光，保證光刻膠圖案的準確性。

第一方面，本發明實施例提供了一種光刻膠圖案制備方法，包括：

提供基底，所述基底包括曝光區和非曝光區；

在所述基底的所述曝光區內設置反射結構，所述反射結構包括反射面，所述反射面位于所述反射結構的側壁上；

在所述基底上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋所述曝光區和所述非曝光區；

對所述曝光區內的所述光刻膠層曝光，以使被曝光的光刻膠改性，所述反射結構的反射面對入射到其上的光線進行反射，以增加靠近所述基底處發生改性的光刻膠的體積；

對所述光刻膠層顯影，以形成光刻膠圖案。

如上所述的光刻膠圖案制備方法，可選地，所述光刻膠層的厚度大于所述反射結構的高度。

如上所述的光刻膠圖案制備方法，可選地，所述反射面覆蓋所述反射結構的整個側壁。

如上所述的光刻膠圖案制備方法，可選地，在所述基底的曝光區內設置反射結構，包括：

在所述基底上形成反射層；

采用干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝圖案化所述反射層，以形成所述反射結構。

如上所述的光刻膠圖案制備方法，可選地，所述光刻膠層為正性光刻膠層；

所述對所述曝光區內的所述光刻膠層進行曝光之后；同一曝光區，所述光刻膠層靠近所述基底處的改性的光刻膠面積，與所述反射結構與所述基底的接觸面積之和，大于遠離所述基底處光刻膠改性的面積。

如上所述的光刻膠圖案制備方法，可選地，沿垂直于所述基底，且由所述光刻膠層指向所述基底的方向，所述反射結構的橫截面逐漸增大。

如上所述的光刻膠圖案制備方法，可選地，令垂直于所述基底的平面為第一平面；