[發(fā)明專利]水聲換能器屏蔽層的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910786228.0
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110611875B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳慶瑞;胡健輝;王敏慧;歐陽荀;劉佳;李科
• 申請（專利權(quán)）人: 上海船舶電子設(shè)備研究所（中國船舶重工集團公司第七二六研究所）
• 主分類號: H04R31/00
• 分類號: H04R31/00
• 代理公司: 上海段和段律師事務(wù)所 31334
• 代理人: 李佳俊;郭國中

本發(fā)明提供了一種水聲換能器屏蔽層的制備方法，在水聲換能器晶片表面灌封一層聚氨酯膠，放入80℃烘箱固化；在金屬外殼安裝螺釘和焊片，從換能器金屬外殼上的焊片上引出一根裸導線；把焊好的水聲換能器放入烘箱預(yù)熱；用化學試劑對預(yù)熱透的換能器表面聚氨酯進行處理；在聚氨酯表面均勻的涂覆一層導電膠，用裸導線把導電膠和外殼連通，放入烘箱固化；對固化后的導電膠層進行表面處理。通過本發(fā)明可以提供一種簡單高效的水聲換能器屏蔽層,操作簡單，不產(chǎn)生氣泡，對換能器聲學性能影響小，制作出的水聲換能器屏蔽層屏蔽性能好，可靠性高，且不受到結(jié)構(gòu)固定方式的限制，可以適應(yīng)任何形狀的換能器。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及水聲工程技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種水聲換能器屏蔽層的制備方法。

背景技術(shù)

在電子設(shè)備中，電磁干擾能量一般通過傳導性耦合和輻射性耦合兩種方式來傳輸。為滿足電磁兼容性要求，對傳導性耦合需采用濾波技術(shù)，即采用EMI濾波器件加以抑制；對輻射性耦合則需采用屏蔽技術(shù)加以抑制。在當前電磁頻譜日趨密集、單位體積內(nèi)電磁功率密度急劇增加，高低電平器件或設(shè)備大量混合使用等因素而導致設(shè)備及系統(tǒng)電磁環(huán)境日益惡化的情況下，其重要性就顯得更為突出。

屏蔽是通過由金屬制成的殼、盒、板等屏蔽體，將電磁波局限于某一區(qū)域的一種方法。由于輻射源分為近區(qū)的電場源、磁場源和遠區(qū)的平面波，因此屏蔽體的屏蔽性能依據(jù)輻射源的不同，在材料選擇、結(jié)構(gòu)形狀和對孔縫泄漏控制等方面都有所不同。在設(shè)計中要達到所需的屏蔽性能，則需首先確定輻射源，明確頻率范圍，再根據(jù)各個頻段的典型泄漏結(jié)構(gòu)，確定控制要素，進而選擇恰當?shù)钠帘尾牧希O(shè)計屏蔽殼體。

水聲換能器的屏蔽主要是對輻射性耦合的抑制，可以提高換能器收發(fā)信號的信噪比，有效的抑制周圍的環(huán)境噪聲干擾，相對提高信號的傳輸距離。以往使用的網(wǎng)織金屬層的屏蔽網(wǎng)方式固定方式復雜，對換能器形狀要求較高。

與本申請相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)是專利文獻CN204761642U，公開了一種寬帶高頻超聲收發(fā)水聲換能器，包括發(fā)射換能器、內(nèi)置前放電路、接收換能器，發(fā)射換能器下端連接托盤A，托盤A下端連接接收換能器，接收換能器下端連接托盤B，發(fā)射換能器一端通過屏蔽線連接前放電路一端，前放電路另一端連接通過屏蔽線同時連接托盤A、托盤B。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種水聲換能器屏蔽層的制備方法。

根據(jù)本發(fā)明提供的一種水聲換能器屏蔽層的制備方法，包括：

步驟一：在水聲換能器的晶片表面灌封聚氨酯膠，放入烘箱固化；

步驟二：在金屬外殼灌封聚氨酯膠的表面處安裝焊片，在焊片上引出裸導線；

步驟三：焊片安裝后，將水聲換能器放入烘箱，在設(shè)定時長內(nèi)進行預(yù)熱；

步驟四：對預(yù)熱后的水聲換能器，使用化學試劑在聚氨酯膠表面進行涂刷處理，并干燥處理；

步驟五：在聚氨酯膠表面涂刷導電膠，通過裸導線將導電膠與水聲換能器的外殼連通，并固化處理；

步驟六：對導電膠表面進行光滑處理，形成屏蔽灌封層。

優(yōu)選地，所述聚氨酯膠采用透明型透聲的聚氨酯灌封膠。

優(yōu)選地，所述烘箱的固化和預(yù)熱溫度設(shè)定為60℃～80℃。

優(yōu)選地，所述設(shè)定時長設(shè)置為1h～4h。

優(yōu)選地，所述裸導線的直徑在0.2mm～1mm之間。

優(yōu)選地，所述化學試劑采用列克納和二氯乙烷的混合物，配比是1：(0.8～3)。

優(yōu)選地，所述導電膠采用加熱型銀導電膠或銅導電膠，所述固化處理的溫度設(shè)置在60℃～100℃。