[發明專利]量子點器件和量子點

在審

• 申請號: 201910785624.1
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110858632A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: J.A.金;元裕鎬;金星祐;金泰亨;李晶姬;張銀珠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;B82Y30/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲;王華芹

1.電致發光器件，包括

彼此面對的第一電極和第二電極，

設置在所述第一電極和所述第二電極之間的發射層，所述發射層包括量子點，和

其中所述量子點包括

芯，其包括包含鋅硫屬化物的第一半導體納米晶體，和

設置在所述芯上的殼，所述殼包括鋅、硫、和硒，

其中所述量子點具有大于10納米的平均顆粒尺寸，

其中所述量子點不包括鎘，和

其中所述量子點的光致發光峰存在于大于或等于430納米且小于或等于470納米的波長范圍內。

2.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述鋅硫屬化物包括鋅、硒、和任選的碲。

3.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述芯不包括錳、銅、或其組合。

4.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述鋅硫屬化物包括鋅、硒、和碲，和

其中所述量子點具有大于或等于0.001:1且小于或等于0.05:1的碲相對于硒的摩爾比。

5.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述芯包括ZnSe_1-xTe_x，其中，x大于或等于0且小于或等于0.05。

6.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述半導體納米晶體殼包括在徑向方向上的濃度梯度。

7.如權利要求1所述的電致發光器件，其中在所述半導體納米晶體殼中，硫的量朝著所述量子點的表面增加。

8.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述半導體納米晶體殼包括

直接設置在所述芯上的第一層，和

設置在所述第一層上的外層，和

其中所述第一層包括具有與所述第一半導體納米晶體的組成不同的組成的第二半導體納米晶體，和

其中所述外層包括具有與所述第二半導體納米晶體的組成不同的組成的第三半導體納米晶體。

9.如權利要求8所述的電致發光器件，其中所述第二半導體納米晶體包括鋅、硒、和任選的碲，并且所述外層包括鋅和硫。

10.如權利要求8所述的電致發光器件，其中所述外層為所述量子點的最外層。

11.如權利要求8所述的電致發光器件，其中所述第一半導體納米晶體包括ZnSe_1-xTe_x，其中，x大于0且小于或等于0.05，

所述第二半導體納米晶體包括ZnSe，和

所述第三半導體納米晶體包括ZnS并且不包括硒。

12.如權利要求8所述的電致發光器件，其中所述第一半導體納米晶體的能帶隙小于所述第二半導體納米晶體的能帶隙，并且所述第二半導體納米晶體的能帶隙小于所述第三半導體納米晶體的能帶隙。

13.如權利要求8所述的電致發光器件，其中所述第二半導體納米晶體的能帶隙小于所述第一半導體納米晶體的能帶隙和所述第三半導體納米晶體的能帶隙。

14.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述量子點具有大于12納米的平均顆粒尺寸。

15.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述量子點具有大于或等于0.85的平均密實度值。

16.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述量子點具有大于或等于0.9的平均密實度值。

17.如權利要求1所述的電致發光器件，其中所述量子點具有四面體形狀、六面體形狀、八面體形狀、或其組合。