[發明專利]量子點器件和量子點

在審

• 申請號: 201910785624.1
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110858632A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: J.A.金;元裕鎬;金星祐;金泰亨;李晶姬;張銀珠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;B82Y30/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲;王華芹

公開量子點器件和量子點。所述量子點包括：芯，所述芯包括包含鋅硫屬化物的第一半導體納米晶體；和設置在所述芯上的殼，所述殼包括鋅、硫、和硒，其中所述量子點具有大于10nm的平均顆粒尺寸，其中所述量子點不包括鎘，和其中所述量子點的光致發光峰存在于大于或等于約430nm且小于或等于約470nm的波長范圍內。

對相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月23日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0098842的優先權和權益、以及由其產生的所有權益，將其內容全部引入本文作為參考。

技術領域

公開量子點器件和量子點。

背景技術

不同于塊體材料，納米顆粒的作為內在特性的物理特性(例如，能帶隙、熔點等)可通過改變納米顆粒的顆粒尺寸而控制。例如，也稱作量子點的半導體納米晶體可被供應光能或電能并且可發射與量子點的尺寸對應的波長的光。因此，量子點可用作發射特定波長的光的發光元件。

發明內容

一種實施方式提供基于無鎘量子點的電致發光器件。

一種實施方式提供上述量子點。

根據實施方式，電致發光器件包括

彼此面對的第一電極和第二電極，以及

設置在所述第一電極和所述第二電極之間的發射層，所述發射層包括量子點，其中所述量子點包括芯、和設置在所述芯上的殼，所述芯包括包含鋅硫屬化物的第一半導體納米晶體，所述殼包括鋅、硫、和硒，

其中所述量子點具有大于10納米(nm)的平均顆粒尺寸，其中所述量子點不包括鎘，和所述量子點的光致發光峰存在于大于或等于約430nm且小于或等于約470nm的波長范圍內。

所述量子點可具有大于或等于約11nm的平均顆粒尺寸。

所述量子點可具有大于或等于約12nm的平均顆粒尺寸。

所述量子點可具有大于約12nm的平均顆粒尺寸。

所述量子點的光致發光峰波長可大于或等于約440nm。

所述量子點的光致發光峰波長可大于或等于約450nm。

所述鋅硫屬化物可包括鋅、硒、和任選的碲。

所述鋅硫屬化物可不包括錳、銅、或其組合。

所述鋅硫屬化物可包括鋅、硒、和碲，和所述量子點可具有大于或等于約0.001:1的碲相對于硒的摩爾比。

所述鋅硫屬化物可包括鋅、硒、和碲，和所述量子點可具有小于或等于約0.05:1的碲相對于硒的摩爾比。

所述芯可包括ZnSe_1-xTe_x，其中，x大于或等于約0且小于或等于約0.05。

所述半導體納米晶體殼具有從所述芯起在徑向方向上變化的梯度組成。

在所述半導體納米晶體殼中，硫的量(或濃度)可朝著所述量子點的表面增加。

所述半導體納米晶體殼可具有直接設置在所述芯上的第一層和設置在所述第一層上的至少一個外層，其中所述第一層可包括具有與所述第一半導體納米晶體的組成不同的組成的第二半導體納米晶體，和所述外層可包括具有與所述第二半導體納米晶體的組成不同的組成的第三半導體納米晶體。

所述第二半導體納米晶體可包括鋅、硒、和任選的碲，和所述外層(或者所述第三半導體納米晶體)可包括鋅和硫。

所述外層可為所述量子點的最外層。