[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910784807.1
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110875263A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 趙浩成;李相權;金相榮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

提供了一種半導體器件。半導體器件包括襯底、絕緣膜和光敏膜。襯底包括半導體芯片區域和沿著半導體芯片區域的邊緣設置的劃片槽區域。絕緣膜包括設置在半導體芯片區域上的第一部分、設置在劃片槽區域上并與第一部分連接的第二部分、以及設置在劃片槽區域上并且在第一方向上從第二部分突出的第三部分。光敏膜設置在絕緣膜上，并且具有暴露在絕緣膜的第二部分上的側壁。第三部分的在與第一方向垂直的第二方向上的第一寬度隨著與半導體芯片區域的距離增加而減小。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月30日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0102533的優先權，該公開的全部內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開涉及半導體器件。

背景技術

近來，半導體器件在小型化和高性能方面進步。因此，在半導體器件中可以使用低k絕緣膜。

當半導體器件被切斷以用于半導體器件的封裝時，可以向半導體器件施加物理應力。同時，當在半導體器件中使用低k絕緣膜時，可能發生設置在低k絕緣膜下面的導線的剝離現象。

發明內容

一方面是提供一種半導體器件，該半導體器件具有增強的可靠性，這是因為在沿著劃片槽(scribe line)區域上的劃片槽的絕緣膜內形成具有切割邊緣的開口區域，其防止半導體芯片的剝離現象和裂紋故障。

根據本公開的示例性實施例，提供了一種半導體器件，包括：襯底，其包括半導體芯片區域和沿著所述半導體芯片區域的邊緣設置的劃片槽區域；絕緣膜，其包括設置在所述半導體芯片區域上的第一部分、設置在所述劃片槽區域上并且與所述第一部分連接的第二部分、以及設置在劃片槽區域上并且在第一方向上從第二部分突出的第三部分；以及光敏膜，其設置在絕緣膜上并且具有暴露在第二部分上的暴露側壁，其中，第三部分在與第一方向垂直的第二方向上的第一寬度隨著與半導體芯片區域的距離增加而減小。

根據本公開的示例性實施例，提供了一種半導體器件，包括：襯底，其包括半導體芯片區域和沿著所述半導體芯片區域的邊緣設置的劃片槽區域；絕緣膜，其包括設置在所述半導體芯片區域上的第一部分、設置在所述劃片槽區域上并且與所述第一部分連接的第二部分、以及設置在所述劃片槽區域上且在第一方向上從所述第二部分突出的第三部分；第一開口區域，其由所述劃片槽區域上的所述第二部分的第一側壁和所述第三部分的第二側壁限定；光敏膜，其設置在絕緣膜上并且具有暴露在第二部分上的暴露側壁；以及第二開口區域，其由絕緣膜和在所述第一開口區域上的光敏膜的暴露側壁限定，其中，第一開口區域的在與第一方向垂直的第二方向上的第一寬度隨著與半導體芯片區域的距離增加而增加。

根據本公開的示例性實施例，提供了一種半導體器件，包括：襯底，其包括半導體芯片區域和沿著所述半導體芯片區域的邊緣設置的劃片槽區域；絕緣膜，其包括設置在所述半導體芯片區域上的第一部分、設置在所述劃片槽區域上并且與所述第一部分連接的第二部分、以及設置在所述劃片槽區域上且在第一方向上從所述第二部分突出的第三部分；光敏膜，其包括設置在所述絕緣膜的第一部分上的第四部分、設置在所述絕緣膜的所述第二部分上的第五部分、以及在第一方向上從所述第五部分突出的第六部分，其中，第三部分在與第一方向垂直的第二方向上的第一寬度隨著與半導體芯片區域的距離增加而減小。

本公開旨在解決的目的不限于上述那些，并且基于以下提供的描述，本領域技術人員可以清楚地理解上面未提及的其他目的。

附圖說明

通過參考附圖來詳細描述以上和其他方面的示例性實施例，以上和其他方面對本領域一般技術人員來說將變得更顯而易見，在附圖中：

圖1是提供為說明根據一些示例性實施例的半導體器件的頂視圖；

圖2是圖1的區域A的放大圖；