[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910784807.1
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110875263A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 趙浩成;李相權;金相榮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體器件，包括：

襯底，其包括半導體芯片區域和沿著所述半導體芯片區域的邊緣設置的劃片槽區域；

絕緣膜，其包括設置在所述半導體芯片區域上的第一部分、設置在所述劃片槽區域上并且與所述第一部分連接的第二部分、以及設置在所述劃片槽區域上并且在第一方向上從所述第二部分突出的第三部分；以及

光敏膜，其設置在所述絕緣膜上并且具有暴露的側壁，所述暴露的側壁暴露在所述絕緣膜的所述第二部分上，

其中，所述第三部分在與所述第一方向垂直的第二方向上的第一寬度隨著與所述半導體芯片區域的距離增加而減小。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三部分包括與所述第二部分接觸的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、以及連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，并且

所述第三表面具有平面形狀。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述光敏膜包括設置在所述絕緣膜的所述第一部分上的第四部分、設置在所述絕緣膜的所述第二部分上的第五部分、以及在所述第一方向上從所述第五部分突出的第六部分。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第六部分包括與所述第五部分接觸的第四表面、與所述第四表面相對的第五表面、以及連接所述第四表面和所述第五表面的第六表面，并且

所述第六表面具有平面形狀。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第六部分在所述第二方向上的第二寬度隨著與所述半導體芯片區域的距離增加而減小。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第五表面形成在所述第三部分的與所述絕緣膜的所述第二部分接觸的第一表面與所述第三部分的與所述第一表面相對的第二表面之間。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第五表面形成在所述第三部分的與所述第二部分接觸的第一表面與所述第四表面之間。

8.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第六部分包括與所述第五部分接觸的第四表面和與所述第四表面連接的第五表面，并且

所述第五表面具有曲面形狀。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三部分包括與所述第二部分接觸的第一表面和與所述第一表面連接的第二表面，并且

所述第二表面具有曲面形狀。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述光敏膜的所述暴露的側壁在所述第二方向上延伸。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括設置在所述光敏膜上的基底襯底。

12.一種半導體器件，包括：

襯底，其包括半導體芯片區域和沿著所述半導體芯片區域的邊緣設置的劃片槽區域；

絕緣膜，其包括設置在所述半導體芯片區域上的第一部分、設置在所述劃片槽區域上并且與所述第一部分連接的第二部分、以及設置在所述劃片槽區域上并且在第一方向上從所述第二部分突出的第三部分；

第一開口區域，其由所述劃片槽區域上的所述第二部分的第一側壁和所述第三部分的第二側壁限定；

光敏膜，其設置在所述絕緣膜上且具有暴露在所述第二部分上的暴露側壁；以及

第二開口區域，其在所述第一開口區域上由所述絕緣膜和所述光敏膜的所述暴露側壁限定，

其中，所述第一開口區域的在與所述第一方向垂直的第二方向上的第一寬度隨著與所述半導體芯片區域的距離增加而增加。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述第二開口區域在所述第一方向上的第二寬度形成為沿著所述第二方向是規則的。