[發明專利]利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法在審
| 申請號: | 201910783401.1 | 申請日: | 2019-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN112481600A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | 許爍爍;劉舟;陳特超 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | C23C16/02 | 分類號: | C23C16/02;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/511;C23C16/455;C23C16/52;H01L31/18;H01L31/056;H01L31/0216;H01L31/068 |
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| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 平板 pecvd 設備 沉積 雙面 perc 電池 背面 薄膜 方法 | ||
本發明公開了一種利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法,包括步驟S1在硅片背面沉積氧化鋁薄膜,S2:在硅片背面沉積氮氧化硅薄膜:S2.1將平板式PECVD設備的反應腔體抽真空至0.3mbar以下,然后加熱反應腔體;S2.2將工藝氣體通入反應腔體,并將1~2對微波發生器產生的微波導入反應腔體;S3:在硅片背面沉積氮化硅薄膜:S3.1將反應腔體抽真空至0.3mbar以下,然后加熱反應腔體;S3.2將工藝氣體通入反應腔體內,并將多對微波發生器產生的微波導入反應腔體。本發明具有正面電池的轉換效率高、雙面率高、抗衰減率低、反應時間短、生產效率高等優點。
技術領域
本發明涉及太陽能電池制備方法,尤其涉及一種利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法。
背景技術
PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)電池已成為光伏產業的市場主流電池技術,雙面PERC電池是以PERC電池為基礎,在不增加成本的前提下增加電池綜合發電量,在光伏市場中引起極大的關注。雙面PERC電池的雙面均可受光發電,具有優良的雙玻封裝可靠性。常規雙面PERC電池生產中在硅片背面先后沉積氧化鋁和氮化硅鈍化膜,由于該鈍化膜中,缺少雜質離子阻擋層,在高溫高濕情況下,鈉離子容易穿過鈍化膜到達硅片背面,造成常規雙面PERC電池的背面衰減率明顯高于正面,甚者可達到30%。為此本領域提出了在硅片背面先后沉積氧化鋁、氮氧化硅及氮化硅薄膜的技術方案,其中氮氧化硅薄膜對雜質離子具有良好的阻擋作用,且鈍化效果良好,結合兩邊的氧化鋁和氮化硅薄膜,能減少雙面PERC電池背面的光電轉換效率損失,并能增強PERC電池的抗PID性能。但是受制備方法的限制,在正面電池的轉化率、雙面率、PID衰減率及反應時間等幾個方面仍然存在一定的不足。
發明內容
本發明要解決的技術問題是克服現有技術的不足,提供一種正面電池的轉換效率高、雙面率高、抗衰減率低、反應時間短的利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法。
為解決上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
一種利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法,包括步驟S1在硅片背面沉積氧化鋁薄膜,還包括步驟:
S2:在硅片背面沉積氮氧化硅薄膜:
S2.1將平板式PECVD設備的反應腔體抽真空至0.3mbar以下,然后加熱反應腔體;
S2.2將工藝氣體通入反應腔體,并將1~2對微波發生器產生的微波導入反應腔體,工藝氣體吸收微波能量后產生等離子體,等離子體被反應腔體內部的磁場加速后形成等離子體場;
其中,每對微波發生器中,左右微波發生器的峰值功率均為3000W~6000W,一個脈沖周期中,脈沖打開時間為6ms~10ms,脈沖關閉時間為6ms~10ms,微波頻移0%~50%;所述工藝氣體為硅烷、氨氣和笑氣;每對微波發生器的工藝氣體流量為:氨氣500sccm~1500sccm、笑氣500sccm~1500sccm且硅烷250sccm~500sccm;加熱溫度為350℃~500℃;工藝過程中反應腔體內壓力保持在0.2mbar~0.3mbar;工藝傳送速率為200cm/min~400cm/min;
S3:在硅片背面沉積氮化硅薄膜:
S3.1將反應腔體抽真空至0.3mbar以下,然后加熱反應腔體;
S3.2將工藝氣體通入反應腔體內,并將多對微波發生器產生的微波導入反應腔體,工藝氣體吸收微波能量后產生等離子體,等離子體被反應腔體內部的磁場加速后形成等離子體場;
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





