[發明專利]利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法

在審

• 申請號: 201910783401.1
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN112481600A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 許爍爍;劉舟;陳特超
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/511;C23C16/455;C23C16/52;H01L31/18;H01L31/056;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 周長清;徐好

1.一種利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法，包括步驟S1在硅片(1)背面沉積氧化鋁薄膜(2)，其特征在于：還包括步驟：

S2：在硅片(1)背面沉積氮氧化硅薄膜(3)：

S2.1將平板式PECVD設備的反應腔體抽真空至0.3mbar以下，然后加熱反應腔體；

S2.2將工藝氣體通入反應腔體，并將1～2對微波發生器產生的微波導入反應腔體，工藝氣體吸收微波能量后產生等離子體，等離子體被反應腔體內部的磁場加速后形成等離子體場；

其中，每對微波發生器中，左右微波發生器的峰值功率均為3000W～6000W，一個脈沖周期中，脈沖打開時間為6ms～10ms，脈沖關閉時間為6ms～10ms，微波頻移0％～50％；所述工藝氣體為硅烷、氨氣和笑氣；每對微波發生器的工藝氣體流量為：氨氣500sccm～1500sccm、笑氣500sccm～1500sccm且硅烷250sccm～500sccm；加熱溫度為350℃～500℃；工藝過程中反應腔體內壓力保持在0.2mbar～0.3mbar；工藝傳送速率為200cm/min～400cm/min；

S3：在硅片(1)背面沉積氮化硅薄膜(4)：

S3.1將反應腔體抽真空至0.3mbar以下，然后加熱反應腔體；

S3.2將工藝氣體通入反應腔體內，并將多對微波發生器產生的微波導入反應腔體，工藝氣體吸收微波能量后產生等離子體，等離子體被反應腔體內部的磁場加速后形成等離子體場；

其中，每對微波發生器中，左右微波發生器的峰值功率均為3000W～5000W，一個脈沖周期中，脈沖打開時間為6ms～10ms，脈沖關閉時間為6ms～10ms，微波頻移0％～50％；所述工藝氣體為硅烷和氨氣；每對微波發生器的工藝氣體流量為：氨氣800sccm～1500sccm，硅烷250sccm～500sccm；加熱溫度為350℃～500℃；工藝過程中反應腔體內壓力保持在0.2mbar～0.3mbar；工藝傳送速率為200cm/min～400cm/min。

2.根據權利要求1所述的利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法，其特征在于：步驟S2中反應腔體內的反應時間為13～15秒。

3.根據權利要求2所述的利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法，其特征在于：步驟S3中反應腔體內的反應時間為45～60秒。

4.根據權利要求1或2或3所述的利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法，其特征在于：步驟S3中微波發生器的數量為6～10對。

5.根據權利要求1或2或3所述的利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法，其特征在于：步驟S2中制備的氮氧化硅薄膜(3)膜厚為10～40nm。

6.根據權利要求5所述的利用平板式PECVD設備沉積雙面PERC電池背面薄膜的方法，其特征在于：步驟S3中制備的氮化硅薄膜(4)膜厚為80～150nm。