[發明專利]加工基板的方法

有效

• 申請號: 201910782502.7
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110858564B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 卡爾·海因茨·普利瓦西爾;長岡健輔
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王小東;黃綸偉

本發明涉及加工基板(W)的方法。基板(W)具有一個面(1)和與該面(1)相反的面(6)。基板(W)在所述面(1)上或者在與該面(1)相反的面(6)上具有至少一個凹部(7)。該方法包括：提供保護膜(4)，并將保護膜(4)施加至基板(W)的具有至少一個凹部(7)的面上，使得保護膜(4)的正表面(4a)的至少中央區域與基板(W)的具有至少一個凹部(7)的面直接接觸。該方法還包括：向保護膜(4)施加壓力，使得保護膜(4)沿所述至少一個凹部(7)的深度的至少一部分進入凹部(7)中；以及對基板(W)的所述面(1)和/或與該面(1)相反的面(6)進行加工。

技術領域

本發明涉及一種加工諸如晶片(例如半導體晶片)的基板的方法，在所述基板的一個面上具有至少一個凹部。

背景技術

在加工基板(舉例來說，如半導體晶片)時，重要的是保護基板的面免受損壞和污染。在將器件(例如，半導體器件)形成在基板的面上時該要求尤其明顯。

例如，在半導體器件制造工序中，對作為基板的具有一般由多條分割線劃分的包括多個器件的器件區域的晶片進行加工，以便將其分割成單個晶粒(die)。該制造工序通常包括用于調整晶片厚度的研磨步驟和沿著分割線切割晶片以獲得單個晶粒的切割步驟。該研磨步驟是從晶片的背面執行的，該背面與在上面形成器件區域的晶片正面相反。此外，在晶片的背面上還可以執行其它加工步驟，例如拋光和/或蝕刻。可以從晶片的正面或晶片的背面沿著分割線對晶片進行切割。

可以通過將保護膜或保護薄片附著至基板面來提供對該基板面的保護。尤其是，為了在晶片加工期間保護形成在晶片上的器件例如不被碎屑、研磨水或切割水破壞、變形和/或污染，在加工之前，可以將這種保護膜或保護薄片施加至晶片的正面。

如果基板的面上存在凹部(例如溝槽、凹槽、切口等)，則對該面的這種保護尤其重要。首先，這種凹部易于受例如可能積累在其中的碎屑或水的污染。其次，凹部的存在可能導致加工(例如研磨、拋光或切割)期間壓力的不均勻分布，因此增加了對基板造成機械損壞的風險，例如基板斷裂。

因此，當對其面上具有一個或更多個凹部的基板進行加工時，使用保護膜或保護薄片是特別重要的。

然而，保護膜或保護薄片所附著至的基板面可能被形成在該保護膜或保護薄片上的粘合劑層的粘合力損壞，或者在將所述膜或薄片從基板剝離時可能被粘合劑殘留物污染。尤其是，這樣的殘留物可能殘留在形成在基板面上的凹部中。如果將敏感器件(舉例來說，如MEMS)形成在施加有保護膜或保護薄片的基板面上，那么該問題尤其成問題。在這種情況下，器件結構可能嚴重受損。

因此，仍然需要一種對其一面上具有凹部的基板進行加工的可靠且有效的方法，該方法使得能夠最小化對基板造成污染和損壞的任何風險。

發明內容

因此，本發明的目的是提供一種對其一面上具有凹部的基板進行加工的可靠且有效的方法，該方法使得能夠最小化對基板造成污染和損壞的任何風險。該目標通過具有權利要求1的技術特征的基板加工方法來實現。本發明的優選實施方式根據從屬權利要求得出。

本發明提供了一種加工基板的方法。該基板具有一個面(例如，正面)和與所述一個面相反的一面(例如，背面)。該基板在所述一個面上或者在與所述一個面相反的面上具有至少一個凹部。所述方法包括：提供保護膜或保護薄片，并將該保護膜或保護薄片施加至該基板的具有至少一個凹部的面上，使得保護膜或保護薄片的正表面的至少中央區域與該基板的具有所述至少一個凹部的面直接接觸。此外，所述方法還包括：向保護膜或保護薄片施加壓力，使得該保護膜或保護薄片沿著所述至少一個凹部的深度的至少一部分進入該凹部中，并且對該基板的所述一個面和/或該基板的與所述一個面相反的面進行加工。

將保護膜施加至基板的具有至少一個凹部的面上，使得該保護膜或保護薄片的正表面的至少中央區域與該基板的具有所述至少一個凹部的面直接接觸。因此，在該保護膜的正表面的至少中央區域與該基板的具有所述至少一個凹部的面之間不存在材料，尤其是不存在粘合劑。