[發明專利]加工基板的方法

有效

• 申請號: 201910782502.7
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN110858564B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 卡爾·海因茨·普利瓦西爾;長岡健輔
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王小東;黃綸偉

1.一種加工基板(W)的方法，其中，

所述基板(W)具有一個面(1)和與所述一個面(1)相反的面(6)，

所述基板(W)在所述一個面(1)上或者在與所述一個面(1)相反的所述面(6)上具有至少一個凹部(7)，并且

所述方法包括：

提供保護膜(4)；

將所述保護膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一個凹部(7)的面上，使得所述保護膜(4)的正表面(4a)的至少中央區域與所述基板(W)的具有所述至少一個凹部(7)的面直接接觸；

向所述保護膜(4)施加壓力，使得所述保護膜(4)沿著所述至少一個凹部(7)的深度的至少一部分進入所述凹部(7)中；以及

對所述基板(W)的所述一個面(1)和/或所述基板(W)的與所述一個面(1)相反的所述面(6)進行加工。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，向所述保護膜(4)施加所述壓力包括以下步驟或由以下步驟組成：在將所述保護膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一個凹部(7)的面上期間和/或之后，向所述保護膜(4)施加真空。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述基板(W)是在所述一個面(1)上具有包括多個器件(27)的器件區域(2)的晶片。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，在所述基板(W)的所述一個面(1)上形成至少一條分割線(11)，并且所述至少一個凹部(7)沿所述至少一條分割線(11)延伸。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，該方法還包括：在將所述保護膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一個凹部(7)的面上期間和/或之后，對所述保護膜(4)進行加熱。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，向所述保護膜(4)施加所述壓力，使得所述保護膜(4)進入所述至少一個凹部(7)的深度為3μm至500μm，優選為5μm至300μm，尤其是5μm至50μm。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，該方法還包括：將所述基板(W)的所述一個面(1)上或所述基板(W)的與所述一個面(1)相反的所述面(6)上的基板材料去除，以便形成所述至少一個凹部(7)。

8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，

所述方法包括：對所述基板(W)的與所述一個面(1)相反的所述面(6)進行加工，并且

對所述基板(W)的與所述一個面(1)相反的所述面(6)進行加工包括：對所述基板(W)的與所述一個面(1)相反的所述面(6)進行研磨以調整基板厚度。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，

所述保護膜(4)設置有粘合劑層(9)，

所述粘合劑層(9)僅設置在所述保護膜(4)的所述正表面(4a)的外周區域中，所述外周區域包圍所述保護膜(4)的所述正表面(4a)的所述中央區域，并且

將所述保護膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一個凹部(7)的面上，使得所述粘合劑層(9)僅與所述基板(W)的具有所述至少一個凹部(7)的面的外周部分相接觸。

10.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，將緩沖層附著至所述保護膜(4)的與所述保護膜(4)的所述正表面(4a)相反的背表面(4b)。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，將基片附著至所述緩沖層的背表面。

12.根據前述權利要求中任一項所述的方法，該方法還包括：

將所述基板(W)分割成多個分離的元件(30)，以及

從所述保護膜(4)拾取所述分離的元件(30)。