[發明專利]一種光學裝置

有效

• 申請號: 201910779664.5
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN110676363B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 劉榮輝;劉元紅;李彥峰;陳曉霞;馬小樂;薛原
• 申請（專利權）人: 有研稀土新材料股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 北京中創云知識產權代理事務所(普通合伙) 11837
• 代理人: 肖佳

1.一種光學裝置，該光學裝置包含LED芯片、吸光劑或吸光劑和可見光發光材料、以及近紅外發光材料，其中近紅外發光材料、吸光劑或吸光劑和可見光發光材料在LED芯片激發下發射的650-1000nm波段光功率為A，近紅外發光材料、吸光劑或吸光劑和可見光發光材料在LED芯片激發下發射的350-650nm波段光功率，以及LED芯片激發近紅外發光材料、吸光劑或吸光劑和可見光發光材料后LED芯片在350-650nm波段的殘留發射光功率，兩者之和為B，其中B/A*100％為0.1％-10％；

所述吸光劑可以吸收發射峰值波長位于420-470nm的發射光，并在460nm激發下發射500-780nm波段的可見光；所述吸光劑分子式為(La,Y,Lu)_3-xSi₆N₁₁:xCe³⁺和(Lu,Y,Gd)_3-y(Al,Ga)₅O₁₂:yCe³⁺中的一種或兩種，其中0.35≤x≤1.5，0.15y≤0.45；

吸光劑外量子效率為0.001-0.05，近紅外發光材料占其與吸光劑或吸光劑和可見光發光材料質量之和的50-80％。

2.根據權利要求1所述的光學裝置，其特征在于，所述LED芯片的發射峰值波長位于420-470nm范圍內。

3.根據權利要求2所述的光學裝置，其特征在于，所述近紅外發光材料包含分子式為aSc₂O₃·A₂O₃·bCr₂O₃和Ln₂O₃·cE₂O₃·dCr₂O₃中的一種，其中A元素至少含有Al和Ga元素中的一種，必含Ga元素，Ln元素至少含有Y、Lu、Gd元素中的一種，必含Y元素，E元素至少含有Al和Ga元素中的一種，必含Ga元素，其中0.001≤a≤0.6，0.001≤b≤0.1，1.5≤c≤2，0.001≤d≤0.2，上述兩種分子式分別具有β-Ga₂O₃結構以及石榴石結構。

4.根據權利要求2所述的光學裝置，其特征在于，所述可見光發光材料分子式為(La,Y,Lu)_3-eSi₆N₁₁:eCe³⁺、(Lu,Y,Gd)_3-z(Al,Ga)₅O₁₂:zCe³⁺中的一種或兩種，其中0.001≤e≤0.15，0.001≤z≤0.15。

5.根據權利要求4所述的光學裝置，其特征在于，所述近紅外發光材料包含分子式為aSc₂O₃·A₂O₃·bCr₂O₃和Ln₂O₃·cE₂O₃·dCr₂O₃中的一種，其中A元素至少含有Al和Ga元素中的一種，必含Ga元素，Ln元素至少含有Y、Lu、Gd元素中的一種，必含Y元素，E元素至少含有Al和Ga元素中的一種，必含Ga元素，其中0.001≤a≤0.6，0.001≤b≤0.1，1.5≤c≤2，0.001≤d≤0.2，上述兩種分子式分別具有β-Ga₂O₃結構以及石榴石結構。

6.根據權利要求3或5所述的光學裝置，其特征在于，所述β-Ga₂O₃結構近紅外發光材料中還可以包含In元素。

7.根據權利要求3或5所述的光學裝置，其特征在于，所述近紅外發光材料中值粒徑D50為15-40μm。

8.根據權利要求2所述的光學裝置，其特征在于，所述近紅外發光材料位于LED芯片上方，吸光劑或吸光劑和可見光發光材料位于近紅外發光材料上方。