[發明專利]一種清水研磨拋光工藝有效
| 申請號: | 201910776979.4 | 申請日: | 2019-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN110465836B | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 和曉宇;和洪喜;和俊卿;趙寶春 | 申請(專利權)人: | 海南億鑫和科技有限公司 |
| 主分類號: | B24B1/00 | 分類號: | B24B1/00;B24B41/04;B24D3/00 |
| 代理公司: | 上海微策知識產權代理事務所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 王小穗 |
| 地址: | 571199 海南省??谑?** | 國省代碼: | 海南;46 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清水 研磨 拋光 工藝 | ||
本發明涉及研磨拋光技術領域,更具體地涉及到一種清水研磨拋光工藝。所述清水研磨拋光工藝包括以下步驟:第一階段為使用粗磨拋光研磨盤進行20~30min粗磨,所述粗磨拋光研磨盤包括粗磨研磨劑;第二階段為使用精磨拋光研磨盤進行15~25min精磨,所述精磨拋光研磨盤包括精磨研磨劑;第三階段為使用精拋拋光研磨盤進行5~15min拋光,所述精拋拋光研磨盤包括精拋研磨劑。本發明提供一種清水研磨拋光工藝,可在只使用清水的情況下進行研磨拋光,避免使用含有研磨劑的粉劑或漿料進行研磨造成的環境污染和對人體健康的危害;可應用于玻璃、硅晶體和金屬陶瓷等材料中,且可實現粗磨、精磨和精拋一系列的操作,提高材料的平整和光亮效果。
技術領域
本發明涉及研磨拋光技術領域,更具體地,本發明涉及一種清水研磨拋光工藝。
背景技術
作為目前常用的材料,玻璃、硅晶體和金屬陶瓷材料應用非常廣泛,為了提高這幾種材料的平整或光亮效果,研磨拋光是非常重要的過程,目前通常使用碳化物、氧化物等研磨劑,如碳化硅、氧化鈰為主要成分的研磨拋光粉或漿料進行處理,但這些以粉體或液體為物態形式的物質在可操作性和效率上存在著一定缺點,容易造成研磨劑的大量浪費,而且在程序和工藝上繁瑣,效率低,成本高,另外,不可降解的研磨劑也會對環境造成污染,且一些研磨劑具有腐蝕性,同樣會危害人體和設備的安全。
故可以使用含有研磨劑的拋光研磨盤來解決這一問題,通過使用含有研磨劑的拋光研磨盤,可以僅僅使用清水進行研磨拋光,降低了對環境和人體的傷害。目前主要使用的是以環氧樹脂和酚醛樹脂為基體的研磨片,可用于粗磨、細磨和拋光等多種操作,且工藝相對簡單。但環氧樹脂和酚醛樹脂固化成型后,基體硬度和密度較高,導致和研磨產品貼合度較差,且研磨拋光過程產生的熱量也使基體變軟變黏,增加基體對研磨劑的夾持度,導致研磨效果不好。
聚氨酯發泡材料具有柔性鏈段和剛性鏈段結合的結構,其中,柔性鏈段提供回彈和韌性,剛性鏈段提供足夠的強度和硬度,使用聚氨酯作為拋光研磨的基體材料是一個重要發展方向。但目前聚氨酯基體的拋光研磨盤主要是應用在玻璃領域,對于硅晶體和金屬陶瓷材料的涉及很少。且聚氨酯基體的拋光研磨盤的力學性能、發泡性能,以及拋光研磨的耐磨性和光澤度還需較大的提升。
發明內容
為了解決上述問題,本發明第一個方面提供了一種清水研磨拋光工藝,所述清水研磨拋光工藝包括以下步驟:
第一階段為使用粗磨拋光研磨盤進行20~30min粗磨,所述粗磨拋光研磨盤包括粗磨研磨劑;
第二階段為使用精磨拋光研磨盤進行15~25min精磨,所述精磨拋光研磨盤包括精磨研磨劑;
第三階段為使用精拋拋光研磨盤進行5~15min拋光,所述精拋拋光研磨盤包括精拋研磨劑。
作為本發明一種優選的技術方案,所述粗磨研磨劑占所述粗磨拋光研磨盤的45~75wt%。
作為本發明一種優選的技術方案,所述粗磨研磨劑的目數為700~1000目。
作為本發明一種優選的技術方案,所述精磨研磨劑占所述精磨拋光研磨盤的45~78wt%。
作為本發明一種優選的技術方案,所述精磨研磨劑的目數為2500~3200目。
作為本發明一種優選的技術方案,所述精拋研磨劑占所述精拋拋光研磨盤的45~85wt%。
作為本發明一種優選的技術方案,所述精拋研磨劑的粒徑為10~30nm。
作為本發明一種優選的技術方案,所述研磨劑包括粗磨研磨劑、精磨研磨劑和精拋研磨劑,所述研磨劑選自碳化物、氧化物、金剛石中的一種或多種。
本發明第二個方面提供了一種如上所述的拋光研磨盤的制備方法,包括以下步驟:
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