[發明專利]薄膜封裝結構、顯示裝置及薄膜封裝結構的制作方法有效
| 申請號: | 201910769911.3 | 申請日: | 2019-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN110459575B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發明(設計)人: | 劉文祺;羅程遠;孫中元;薛金祥;董超 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王剛 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 封裝 結構 顯示裝置 制作方法 | ||
1.一種薄膜封裝結構,其特征在于,包括:
基板;
封裝膜層,覆蓋于所述基板的表面;所述封裝膜層包括層疊設置的至少兩層絕緣層;
金屬輔助層,設置于所述基板與所述封裝膜層之間或任意兩層所述絕緣層之間;所述金屬輔助層被構造為網格狀;所述金屬輔助層包括:多個陣列排布的金屬網格;至少部分所述金屬網格在其遠離所述基板一側的至少一個端點上設置有凸起部;所述凸起部在層疊方向上的高度不超過20納米;所述凸起部為在金屬輔助層中的金屬網格的端點上通過刻蝕或研磨加工制成;以及
像素界定層,所述金屬輔助層與所述像素界定層在層疊方向上的投影重合。
2.根據權利要求1所述的薄膜封裝結構,其特征在于,還包括:平坦輔助層,設置于所述金屬輔助層遠離所述基板一側,被構造為平坦覆蓋所述金屬輔助層遠離所述基板一側的表面。
3.根據權利要求1所述的薄膜封裝結構,其特征在于,所述金屬網格的形狀為正方形、矩形或菱形。
4.根據權利要求1所述的薄膜封裝結構,其特征在于,所述金屬輔助層的材質為鋁、鎂、銀、銅中的一種或多種的組合。
5.一種顯示裝置,其特征在于,包括:如權利要求1至4任意一項所述的薄膜封裝結構。
6.一種薄膜封裝結構的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;所述基板包括像素界定層;
在所述基板上形成網格狀的金屬輔助層;
在所述金屬輔助層上形成封裝膜層;所述封裝膜層包括層疊設置的至少兩層絕緣層;
或,
提供基板;所述基板包括像素界定層;
在所述基板上形成封裝膜層;所述封裝膜層包括層疊設置的至少兩層絕緣層;其中,在任意兩層所述絕緣層之間形成有網格狀的金屬輔助層;
所述金屬輔助層包括:多個陣列排布的金屬網格;至少部分所述金屬網格在其遠離所述基板一側的至少一個端點上設置有凸起部;所述凸起部在層疊方向上的高度不超過20納米;所述凸起部為在金屬輔助層中的金屬網格的端點上通過刻蝕或研磨加工制成;所述金屬輔助層與所述像素界定層在層疊方向上的投影重合。
7.根據權利要求6所述的薄膜封裝結構的制作方法,其特征在于,通過磁控濺射工藝或蒸鍍工藝形成所述金屬輔助層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





