[發明專利]加熱結構、半導體處理裝置及加熱方法

在審

• 申請號: 201910768265.9
• 申請日: 2019-08-20
• 公開（公告）號: CN112420544A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 于海濤
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/3065;F24H3/02;F26B21/00
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種加熱結構、半導體處理裝置及加熱方法。所述加熱結構包括：管道，用于傳輸經壓縮的干燥氣體；空氣放大器，與所述管道的輸出端連通，用于將經壓縮的所述干燥氣體放大；加熱器，與所述空氣放大器連接，用于將經放大的所述干燥氣體加熱后傳輸至待加熱物體的表面。本發明避免了對半導體處理裝置內部結構的損傷，進而在確保半導體制程順利進行的同時，也提高了半導體處理裝置的使用壽命。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種加熱結構、半導體處理裝置及加熱方法。

背景技術

目前，半導體集成電路(IC)產業已經經歷了指數式增長。IC材料和設計中的技術進步已經產生了數代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更復雜的電路。在IC發展的過程中，功能密度(即每一芯片面積上互連器件的數量)已普遍增加，而幾何尺寸(即使用制造工藝可以產生的最小部件)卻已減小。除了IC部件變得更小和更復雜之外，在其上制造IC的晶圓變得越來越大，這就對晶圓的質量要求越來越高。

動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等半導體器件的制造工藝中，刻蝕是至關重要的步驟。現有的刻蝕工藝主要包括濕法刻蝕(Wet Etching)和干法刻蝕(Dry Etching)兩種方式。干式刻蝕通常指利用輝光放電(Glow Discharge)方式，產生包含離子、電子等帶電粒子以及具有高度化學活性的中性原子、分子及自由基的電漿，來進行圖案轉印(Pattern Transfer)的刻蝕技術。

但是，在現有的刻蝕機臺執行刻蝕工藝過程中，經常需要對反應腔頂部的遮蔽窗口(window)進行加熱，但是，傳統的加熱方式極易造成刻蝕機臺內部元器件的燒損，影響后續制程的順利進行，從而導致半導體生產效率的降低。

因此，如何在刻蝕機臺執行刻蝕工藝過程中避免刻蝕機臺內部元器件的損傷，是目前亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明提供一種加熱結構、半導體處理裝置及加熱方法，用于解決現有的加熱結構易對機臺內部的元器件造成損傷的問題。

為了解決上述問題，本發明提供了一種加熱結構，包括：

管道，用于傳輸經壓縮的干燥氣體；

空氣放大器，與所述管道的輸出端連通，用于將經壓縮的所述干燥氣體放大；

加熱器，與所述空氣放大器連接，用于將經放大的所述干燥氣體加熱后傳輸至待加熱物體的表面。

優選的，所述干燥氣體為空氣。

優選的，所述空氣放大器包括：

引流腔和與所述引流腔連接的放大腔，所述引流腔具有第二進氣口，與外界氣體連通，所述放大腔具有出氣口；

第一進氣口，與所述管道連通，用于向所述放大腔傳輸經壓縮的所述干燥氣體，所述干燥氣體用于建立低壓以使所述引流腔通過所述第二進氣口將所述外界氣體引入所述放大腔；

所述出氣口，與所述加熱器連接，用于向所述加熱器傳輸經放大的所述干燥氣體。

優選的，在沿所述引流腔和放大腔的軸向方向上，所述第二進氣口與所述出氣口分布于所述引流腔和放大腔的相對兩側；所述第一進氣口位于所述放大腔的徑向方向上。

優選的，還包括：

第一三通閥，所述第一三通閥的輸入端與氣源連通、所述第一三通閥的第一輸出端連接壓力開關、所述第一三通閥的第二輸出端與所述管道的輸入端連通；

所述氣源，用于存儲經壓縮的所述干燥氣體，所述壓力開關用于檢測進入所述管道的經壓縮的所述干燥氣體的壓力。

優選的，還包括：