[發明專利]加熱結構、半導體處理裝置及加熱方法在審
| 申請號: | 201910768265.9 | 申請日: | 2019-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN112420544A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 于海濤 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/3065;F24H3/02;F26B21/00 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 結構 半導體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種加熱結構,其特征在于,包括:
管道,用于傳輸經壓縮的干燥氣體;
空氣放大器,與所述管道的輸出端連通,用于將經壓縮的所述干燥氣體放大;
加熱器,與所述空氣放大器連接,用于將經放大的所述干燥氣體加熱后傳輸至待加熱物體的表面。
2.根據權利要求1所述的加熱結構,其特征在于,所述干燥氣體為空氣。
3.根據權利要求2所述的加熱結構,其特征在于,所述空氣放大器包括:
引流腔和與所述引流腔連接的放大腔,所述引流腔具有第二進氣口,與外界氣體連通,所述放大腔具有出氣口;
第一進氣口,與所述管道連通,用于向所述放大腔傳輸經壓縮的所述干燥氣體,所述干燥氣體用于建立低壓以使所述引流腔通過所述第二進氣口將所述外界氣體引入所述放大腔;
所述出氣口,與所述加熱器連接,用于向所述加熱器傳輸經放大的所述干燥氣體。
4.根據權利要求3所述的加熱結構,其特征在于,在沿所述引流腔和放大腔的軸向方向上,所述第二進氣口與所述出氣口分布于所述引流腔和放大腔的相對兩側;所述第一進氣口位于所述放大腔的徑向方向上。
5.根據權利要求3所述的加熱結構,其特征在于,還包括:
第一三通閥,所述第一三通閥的輸入端與氣源連通、所述第一三通閥的第一輸出端連接壓力開關、所述第一三通閥的第二輸出端與所述管道的輸入端連通;
所述氣源,用于存儲經壓縮的所述干燥氣體,所述壓力開關用于檢測進入所述管道的經壓縮的所述干燥氣體的壓力。
6.根據權利要求5所述的加熱結構,其特征在于,還包括:
調節閥,安裝于所述第一三通閥的第二輸出端與所述管道之間,用于調整進入所述管道的經壓縮的所述干燥氣體的流速。
7.根據權利要求5所述的加熱結構,其特征在于,所述管道和所述空氣放大器的數量分別為兩個,還包括:
第二三通閥,安裝于所述第一三通閥的第二輸出端與所述管道之間,所述第二三通閥的輸入端連接所述第一三通閥的第二輸出端,所述第二三通閥的第一輸出端和所述第二三通閥的第二輸出端分別與兩個各自連接一空氣放大器的管道連通。
8.根據權利要求6所述的加熱結構,其特征在于,還包括:
流量計,連接所述調節閥,用于檢測流經所述調節閥的經壓縮的所述干燥氣體的流速。
9.根據權利要求6所述的加熱結構,其特征在于,還包括:
傳感器,連接所述調節閥,用于檢測所述待加熱物體的溫度并傳輸至所述調節閥;
所述調節閥根據所述待加熱物體的溫度調整進入所述管道的經壓縮的所述干燥氣體的流速。
10.根據權利要求3所述的加熱結構,其特征在于,所述空氣放大器還包括位于所述放大腔外圍的環形氣流室,所述管道通過所述第一進氣口輸入的所述干燥氣體經過所述環形氣流室后進入所述放大腔。
11.一種半導體處理裝置,其特征在于,包括:
如權利要求1-10中任一項所述加熱結構。
12.一種基于如權利要求1-10中任一項所述加熱結構的加熱方法,其特征在于,包括如下步驟:
通過管道向空氣放大器傳輸經壓縮的干燥氣體;
通過空氣放大器將經壓縮的干燥氣體放大;
將經放大的干燥氣體輸送至加熱器進行加熱;
通過加熱器將加熱后的干燥氣體傳輸至待加熱物體的表面。
13.根據權利要求12所述的加熱方法,其特征在于,通過管道向空氣放大器傳輸經壓縮的干燥氣體的具體步驟包括:
通過壓力開關檢測經壓縮的所述干燥氣體的壓力;
當所述壓力大于第一預設閾值時,則打開調節閥;
當所述壓力大于第二預設閾值時,則關閉所述調節閥。
14.根據權利要求13所述的加熱方法,其特征在于,通過空氣放大器將經壓縮的干燥氣體放大的具體步驟包括:
檢測所述待加熱物體的溫度并傳輸至所述調節閥;
通過所述調節閥根據所述待加熱物體的溫度調整進入所述管道的經壓縮的所述干燥氣體的流速。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





