[發明專利]半導體存儲設備、半導體存儲模塊及其訪問方法

在審

• 申請號: 201910767638.0
• 申請日: 2019-08-20
• 公開（公告）號: CN110853691A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 鄭志完;A.卡瓦拉;李泰成;任政燉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張泓

一種半導體存儲設備可以包括存儲體。傳感器被布置為與存儲體相鄰并且被配置為感測溫度。地址緩沖器被配置為從外部設備接收地址。第一解復用器被配置為向存儲體之一傳遞地址中的行地址。第二解復用器被配置為向存儲體之一傳遞地址中的列地址。命令緩沖器被配置為從外部設備接收命令?？刂七壿媺K被配置為根據命令和地址中的存儲體信息來控制第一和第二解復用器以及存儲體。數據緩沖器被配置為在存儲體和外部設備之間交換數據信號?？刂七壿媺K可以被進一步配置為向外部設備傳遞關于溫度的信息。

相關申請的交叉引用

該專利申請根據要求在2018年8月21日提交的第10-2018-0097448號韓國專利申請的優先權，其整個內容在此通過引用被整體合并。

背景技術

本公開涉及一種半導體電路，并且具體地涉及一種被配置為管理其加熱過程的半導體存儲設備、包括該半導體存儲設備的半導體存儲模塊以及訪問非易失性存儲器的方法。

半導體存儲器包括至少一個非易失性存儲器，諸如相變存儲器、鐵電存儲器、磁存儲器、電阻存儲器以及FLASH存儲器。具體地，作為非易失性存儲器之一的相變存儲器被配置為通過加熱存儲單元來改變存儲單元的電阻值。換句話說，當對相變存儲器執行置位或重置操作時，可以對相變存儲器的存儲單元進行加熱。

在相變存儲器中，存儲單元的加熱可能影響與其相鄰的其他存儲單元。例如，如果其他相鄰的存儲單元被加熱到置位或重置操作所需要的溫度，則其他相鄰的存儲單元的電阻值可能改變。換句話說，其他相鄰的存儲單元可能被擾亂。

發明內容

本公開的一些實施例提供一種被配置為管理其存儲單元中的加熱過程的半導體存儲設備、包括該半導體存儲設備的半導體存儲模塊以及訪問非易失性存儲器的方法。

根據本公開的一些實施例，一種半導體存儲設備可以包括存儲體和傳感器，該傳感器與存儲體相鄰布置并且被配置為感測溫度。地址緩沖器被配置為從外部設備接收地址。第一解復用器被配置為向存儲體之一傳遞作為由地址緩沖器接收的地址的一部分的行地址。第二解復用器被配置為向存儲體之一傳遞作為由地址緩沖器接收的地址的一部分的列地址。命令緩沖器被配置為從外部設備接收命令?？刂七壿媺K被配置為根據以下來控制第一解復用器、第二解復用器和存儲體：(1)由命令緩沖器接收的命令和(2)作為由地址緩沖器接收的地址的一部分的存儲體信息。數據緩沖器被配置為在存儲體和外部設備之間交換數據信號?？刂七壿媺K可以被進一步配置為向外部設備傳遞關于由傳感器感測的溫度的信息。

根據本公開的一些實施例，一種半導體存儲模塊可以包括：第一非易失性存儲設備、與第一非易失性存儲設備中的至少一個第一非易失性存儲設備相關聯的第一溫度傳感器、第二非易失性存儲設備、與第二非易失性存儲設備中的至少一個第二非易失性存儲設備相關聯的第二溫度傳感器、數據緩沖器以及控制器?？刂破鞅慌渲脼橥ㄟ^第一數據線與數據緩沖器交換第一數據信號并且通過第二數據線與第一非易失性存儲設備和第二非易失性存儲設備交換第二數據信號。控制器可以進一步被配置為從外部設備接收第一地址、第一命令和第一控制信號，以根據第一地址、第一命令和第一控制信號通過第一控制線來控制第一非易失性存儲設備和第二非易失性存儲設備并且通過第二控制線來控制數據緩沖器?？刂破骺梢赃M一步被配置為向外部設備輸出關于由第一溫度傳感器或第二溫度傳感器感測的溫度的信息。

根據本公開的一些實施例，一種訪問包括第一區域的第一相變存儲單元和第二區域的第二相變存儲單元的非易失性存儲器的方法可以包括：對第一區域的第一相變存儲單元執行至少一個置位或重置操作，以及對第二區域的第二相變存儲單元執行至少一個置位或重置操作?？梢越箤Φ谝粎^域的第一相變存儲單元或第二區域的第二相變存儲單元接連地執行置位操作、重置操作或者置位和重置操作的任何組合超過閾值次數。

根據本公開的一些實施例，一種半導體存儲設備包括具有第一存儲單元的非易失性存儲器。第一傳感器檢測指示第一存儲單元的第一狀態的第一信息。控制器基于第一信息來確定是否可以對第一存儲單元執行第一訪問操作。

附圖說明