[發明專利]半導體存儲設備、半導體存儲模塊及其訪問方法在審
| 申請號: | 201910767638.0 | 申請日: | 2019-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN110853691A | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發明(設計)人: | 鄭志完;A.卡瓦拉;李泰成;任政燉 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張泓 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲 設備 模塊 及其 訪問 方法 | ||
1.一種半導體存儲設備,包括:
存儲體;
傳感器,被布置為與存儲體相鄰,該傳感器感測溫度;
地址緩沖器,從外部設備接收地址;
第一解復用器,向存儲體之一傳遞作為由地址緩沖器接收的地址的第一部分的行地址;
第二解復用器,向存儲體之一傳遞作為由地址緩沖器接收的地址的第二部分的列地址;
命令緩沖器,從外部設備接收命令;
控制邏輯,根據由命令緩沖器接收的命令和作為由地址緩沖器接收的地址的第三部分的存儲體信息來控制第一解復用器、第二解復用器和存儲體;以及
數據緩沖器,在存儲體和外部設備之間交換數據信號,其中,
該控制邏輯向外部設備傳遞關于由傳感器感測的溫度的溫度信息。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲設備,其中,當溫度高于閾值溫度時,控制邏輯向外部設備傳遞溫度信息。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲設備,其中:
每一個存儲體包括相變存儲單元,并且
當溫度高于閾值溫度時,控制邏輯禁止對每一個存儲體的相變存儲單元執行置位操作或重置操作。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲設備,其中:
傳感器包括分別與存儲體相鄰地布置的溫度傳感器,
溫度是由溫度傳感器當中的特定溫度傳感器感測的,并且
當溫度高于閾值溫度時,控制邏輯向外部設備傳遞溫度信息。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲設備,其中:
每一個存儲體包括相變存儲單元,
傳感器包括分別與存儲體相鄰地布置的溫度傳感器,
溫度是由溫度傳感器當中的特定溫度傳感器感測的,并且
當由特定溫度傳感器感測的溫度高于閾值溫度時,控制邏輯禁止對存儲體中的與特定溫度傳感器相鄰的第一存儲體執行置位操作或重置操作。
6.根據權利要求5所述的半導體存儲設備,其中:
存儲體被劃分為多個存儲體組,每個存儲體組包括多個存儲體,
控制邏輯禁止對多個存儲體組當中的、包括與特定溫度傳感器相鄰的第一存儲體的特定存儲體組執行置位操作或重置操作,并且
所述存儲體包括第一存儲體。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲設備,其中,控制邏輯通過向外部設備發送指示半導體存儲設備的異常狀態的警報信號來向外部設備傳遞溫度信息。
8.根據權利要求1所述的半導體存儲設備,其中,每一個存儲體包括:
存儲單元陣列,包括相變存儲單元;
行譯碼器,通過字線連接到存儲單元陣列,該行譯碼器根據從第一解復用器傳遞的行地址來選擇字線中的字線;
寫驅動器和讀出放大器,通過位線和源線連接到存儲單元陣列,該寫驅動器和讀出放大器對連接到由行譯碼器選擇的字線的相變存儲單元執行置位、重置或者讀取操作;
選通電路,將一些寫驅動器和讀出放大器連接到數據緩沖器;以及
列譯碼器,從第二解復用器接收列地址并且根據列地址來控制選通電路。
9.一種半導體存儲模塊,包括:
第一非易失性存儲設備;
第一溫度傳感器,與第一非易失性存儲設備中的第二非易失性存儲設備相關聯;
第三非易失性存儲設備;
第二溫度傳感器,與第三非易失性存儲設備中的第四非易失性存儲設備相關聯;
數據緩沖器;和
控制器,通過第一數據線與數據緩沖器交換第一數據信號并且通過第二數據線與第一非易失性存儲設備和第三非易失性存儲設備交換第二數據信號,其中,控制器:
從外部設備接收第一地址、第一命令和第一控制信號,以根據第一地址、第一命令和第一控制信號通過第一控制線控制第一非易失性存儲設備和第三非易失性存儲設備并且通過第二控制線控制數據緩沖器,并且
向外部設備輸出關于由第一溫度傳感器或第二溫度傳感器感測的溫度的溫度信息。
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