[發明專利]5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝

在審

• 申請號: 201910764536.3
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN110536554A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 劉振華;蘇章泗;韓秀川
• 申請（專利權）人: 臺山市精誠達電路有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/46
• 代理公司: 44275 深圳市博銳專利事務所
• 代理人: 鄭耀敏<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明公開了5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，包括如下步驟，在雙面覆銅改性PI基材的預設位置上鉆微通孔；S3，對微通孔依次進行黑孔、鍍銅填孔處理；S4，在雙面覆銅改性PI基材的銅面上制作內層線路；S5，將雙面覆銅改性PI基材與兩塊單面覆銅改性PI基材膠粘壓合，得到疊構體；S6，對單面覆銅改性PI基材進行選擇性蝕刻，去除單面覆銅改性PI基材對應于微通孔區域的銅質；S7，在單面覆銅改性PI基材的外露基材區域鉆盲孔；S8，對單面覆銅改性PI基材上的盲孔進行鍍銅填孔處理。本發明提供的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，極大的降低盲孔的加工和盲孔孔化難度，保證了大批量制作可行性。

技術領域

本發明涉及電路板技術領域，尤其涉及5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝。

背景技術

5G的商用對高頻高速電路板的需求劇增，在5G高頻高速四層撓性電路板產品上第二層與第四層間需要導通，5G高頻高速四層撓性電路板的基材需采用改性PI(聚酰亞胺膜)材料，第二層和第四層間介質層總厚度為181微米(外層PI厚50微米、粘接膠厚50微米、內層基材PI厚75微米，內層導通銅厚6微米)。

目前業界激光鉆盲孔的鉆孔深度很難達到181微米，以致帶有此類盲孔的5G高頻高速四層撓性電路板產品無量產的可行性，解決此類產品的盲孔加工和孔化制作技術瓶頸已是迫在眉睫！

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種能夠實現大批量生產的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝。

為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為：5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，包括如下步驟，

S1，準備一塊厚度為75微米的雙面覆銅改性PI基材以及兩塊厚度為50微米的單面覆銅改性PI基材；

S2，在所述雙面覆銅改性PI基材的預設位置上鉆微通孔；

S3，對所述微通孔依次進行黑孔、鍍銅填孔處理；

S4，在所述雙面覆銅改性PI基材的銅面上制作內層線路；

S5，將雙面覆銅改性PI基材與兩塊單面覆銅改性PI基材膠粘壓合，得到疊構體，其中，所述雙面覆銅改性PI基材位于兩塊單面覆銅改性PI基材之間；

S6，對單面覆銅改性PI基材進行選擇性蝕刻，去除單面覆銅改性PI基材對應于所述微通孔區域的銅質，以使單面覆銅改性PI基材對應于所述微通孔的基材區域外露；

S7，在單面覆銅改性PI基材的外露基材區域鉆盲孔，所述盲孔連接所述雙面覆銅改性PI基材的銅面；

S8，對單面覆銅改性PI基材上的所述盲孔進行鍍銅填孔處理。

本發明的有益效果在于：先在厚度為75微米的雙面覆銅改性PI基材上鉆微通孔，然后應用填孔電鍍藥水對微通孔進行填平，再在微通孔上完成一次積層盲孔，單面覆銅改性PI基材加純膠總厚度為100微米(單面覆銅改性PI基材厚度為50微米、用于連接單面覆銅改性PI基材與雙面覆銅改性PI基材的純膠的厚度亦為50微米)，此深度(即100微米)在正常的盲孔加工和盲孔孔化工藝能力以內，實現了5G高頻高速四層撓性電路板第二層和第四層層間互聯導通，換言之，本發明通過先制作微通孔分解掉雙面覆銅改性PI基材75微米介質層深度和6微米的內層線路銅層厚度，使深度超出工藝能力的盲孔降低到常規盲孔深度能力以內，極大的降低盲孔的加工和盲孔孔化難度，保證了大批量制作可行性，解決了5G產品導通孔高縱橫比的技術瓶頸。

附圖說明

圖1為本發明實施例一中的雙面覆銅改性PI基材的結構示意圖；

圖2為本發明實施例一中的雙面覆銅改性PI基材鉆微通孔后的結構示意圖；

圖3為本發明實施例一中的雙面覆銅改性PI基材鍍銅填孔后的結構示意圖；