[發(fā)明專利]5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910764536.3
• 申請(qǐng)日: 2019-08-19
• 公開（公告）號(hào): CN110536554A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉振華;蘇章泗;韓秀川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)山市精誠(chéng)達(dá)電路有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/00
• 分類號(hào): H05K3/00;H05K3/46
• 代理公司: 44275 深圳市博銳專利事務(wù)所
• 代理人: 鄭耀敏<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

1.5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：包括如下步驟，

S1，準(zhǔn)備一塊厚度為75微米的雙面覆銅改性PI基材以及兩塊厚度為50微米的單面覆銅改性PI基材；

S2，在所述雙面覆銅改性PI基材的預(yù)設(shè)位置上鉆微通孔；

S3，對(duì)所述微通孔依次進(jìn)行黑孔、鍍銅填孔處理；

S4，在所述雙面覆銅改性PI基材的銅面上制作內(nèi)層線路；

S5，將雙面覆銅改性PI基材與兩塊單面覆銅改性PI基材膠粘壓合，得到疊構(gòu)體，其中，所述雙面覆銅改性PI基材位于兩塊單面覆銅改性PI基材之間；

S6，對(duì)單面覆銅改性PI基材進(jìn)行選擇性蝕刻，去除單面覆銅改性PI基材對(duì)應(yīng)于所述微通孔區(qū)域的銅質(zhì)，以使單面覆銅改性PI基材對(duì)應(yīng)于所述微通孔的基材區(qū)域外露；

S7，在單面覆銅改性PI基材的外露基材區(qū)域鉆盲孔，所述盲孔連接所述雙面覆銅改性PI基材的銅面；

S8，對(duì)單面覆銅改性PI基材上的所述盲孔進(jìn)行鍍銅填孔處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S1之后還包括步驟S11，對(duì)所述雙面覆銅改性PI基材的銅面進(jìn)行減銅處理，減銅后的銅面的厚度為6±1微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S2中，采用激光灼燒的方式在雙面覆銅改性PI基材上鉆微通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S2中，所述微通孔的孔徑為40±10微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S3中，鍍銅填孔處理后，所述雙面覆銅改性PI基材的銅面的厚度小于或等于20微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S5之前還包括步驟S51，對(duì)所述雙面覆銅改性PI基材的板面和/或單面覆銅改性PI基材的板面進(jìn)行微蝕量小于或等于1微米的棕化處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S6中，所述選擇性蝕刻的具體處理過程依次包括化學(xué)清洗、貼干膜、曝光、顯影、蝕刻及退膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S7之后還包括步驟S71，對(duì)疊構(gòu)體的外露孔位進(jìn)行清洗以去除孔位內(nèi)的膠渣。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S71之前還包括步驟S70，在所述疊構(gòu)體上鉆長(zhǎng)通孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G高頻高速四層撓性電路板的制作工藝，其特征在于：步驟S7中，所述盲孔呈錐形，所述盲孔的大徑為120微米，所述盲孔的小徑為100微米。