[發明專利]產生極紫外光輻射的裝置

在審

• 申請號: 201910760768.1
• 申請日: 2019-08-16
• 公開（公告）號: CN110837209A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發明（設計）人: 謝劼;陳冠宏;許峻嘉;簡上傑;劉柏村;陳立銳;鄭博中
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種產生極紫外光(Extreme Ultraviolet；EUV)輻射的裝置，此裝置包含液滴產生器、激發激光、能量偵測器與反饋控制器。液滴產生器是配置以產生目標液滴。激發激光是配置以使用激發脈沖加熱此些目標液滴，以將目標液滴轉換為電漿。當目標液滴轉換為電漿時，能量偵測器是配置以量測極紫外光能量中所產生的變化。反饋控制器是配置以基于極紫外光能量中的變化來調整液滴產生器及/或激發激光的參數。

技術領域

本揭露的一實施例是有關一種產生極紫外光輻射的裝置與方法，且特別是提供一種可產生穩定的極紫外光輻射的裝置與方法。

背景技術

運算能力的需求已倍數成長。這種運算能力的增加可以通過增加半導體集成電路(Integrated Circuits；ICs)的功能密度(即每個晶片上內連接裝置的數目)來實現。隨著功能密度的增加，晶片上各個裝置的尺寸已縮小。隨著如微影(lithography)的半導體制造技術的進步，集成電路中的組件尺寸的縮小已可得到滿足。

舉例而言，微影所使用的輻射波長已由紫外光減小到深紫外光(DeepUltraviolet；DUV)，再到最近的極紫外光范圍。組件尺寸的進一步縮小需要微影的解析度的進一步改善，且此可以使用極紫外微影(EUV Lithography；EUVL)來實現。極紫外微影使用波長實質為1nm至100nm的輻射。

一種極紫外光輻射的產生方法是激光激發電漿(Laser-produced Plasma；LPP)。在基于激光激發電漿的極紫外光光源中，高功率激光束是聚焦于小的錫液滴目標上，以形成高度離子化電漿，其中此高度離子化電漿發射出具有峰值最大發光于13.5nm的極紫外光輻射。通過激光激發電漿所產生的極紫外光輻射的強度取決于通過高功率激光從液滴目標產生電漿的有效性。基于極紫外光輻射光源，高功率激光的脈沖與液滴目標的生成與運動的同步可改善激光激發電漿的效率。

發明內容

根據本揭露的一些實施例，本揭露的一實施例揭示一種產生極紫外光(ExtremeUltraviolet；EUV)輻射的裝置。此裝置包含液滴產生器、激發激光、能量偵測器與反饋控制器。液滴產生器是配置以產生多個目標液滴。激發激光是配置以使用多個激發脈沖來加熱此些目標液滴，以轉換目標液滴為電漿。能量偵測器是配置以量測極紫外光能量中的變化，其中極紫外光能量是于此些目標液滴轉換為電漿時所產生。反饋控制器是配置以基于極紫外光能量中的變化，來調整液滴產生器或激發激光的至少一者的參數。

附圖說明

從以下結合所附附圖所做的詳細描述，可對本揭露的一實施例的態樣有更佳的了解。需注意的是，根據業界的標準實務，各特征并未依比例繪示。事實上，為了使討論更為清楚，各特征的尺寸可任意地增加或減少。

圖1是根據本揭露的一些實施例所建構的極紫外光微影系統的示意圖，其中此極紫外光微影系統具有激光激發電漿(Laser Produced Plasma；LPP)極紫外光輻射光源；

圖2A繪示于目標液滴在X-Z平面被預脈沖照射后，目標液滴相對于收集器的運動；

圖2B、圖2C、圖2D與圖2E繪示目標液滴通過預脈沖于X-Y平面的運動；

圖3A繪示根據本揭露的一些實施例的多個被優化的參數；

圖3B繪示多個被再優化的關鍵績效指標(Key Performance Indicators；KPIs)；

圖4顯示根據本揭露的一些實施例的用以產生分類目標機率地圖的裝置的示意圖；

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D與圖5E顯示根據本揭露的一實施例的產生分類目標機率地圖的示意圖；

圖6繪示基于布林輸出的格式的分類目標機率地圖；