[發(fā)明專利]晶體管及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910759563.1 | 申請日： | 2019-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN111640793A | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周仲彥;陳志遠(yuǎn) | 申請（專利權(quán)）人： | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 及其 形成 方法 | ||
1.一種晶體管，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底中形成有柵極溝槽；以及，
柵極介質(zhì)層，覆蓋所述柵極溝槽的內(nèi)壁，其中所述柵極介質(zhì)層具有上層部和下層部，所述上層部覆蓋所述柵極溝槽中高于預(yù)定高度位置的內(nèi)壁，所述下層部覆蓋所述柵極溝槽中低于所述預(yù)定高度位置的內(nèi)壁；其中，所述上層部包括內(nèi)襯層和外蓋層，所述內(nèi)襯層覆蓋所述柵極溝槽的內(nèi)壁，所述外蓋層覆蓋所述內(nèi)襯層的外側(cè)壁，并且所述內(nèi)襯層和所述外蓋層的厚度之和大于所述下層部的厚度值。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述柵極介質(zhì)層中，所述下層部相對于所述內(nèi)襯層的厚度差值小于所述外蓋層的厚度值；或者所述下層部相對于所述外蓋層的厚度差值小于所述內(nèi)襯層的厚度值。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述柵極介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；
其中，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述柵極溝槽的內(nèi)壁，并且所述第一介質(zhì)層低于所述預(yù)定高度位置的部分構(gòu)成所述下層部，所述第一介質(zhì)層高于所述預(yù)定高度位置的部分構(gòu)成所述內(nèi)襯層；以及，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述第一介質(zhì)層中高于所述預(yù)定高度位置的部分，以構(gòu)成所述上層部的外蓋層。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體管，其特征在于，所述第二介質(zhì)層在垂直于溝槽側(cè)壁方向上的厚度尺寸大于所述第一介質(zhì)層在垂直于溝槽側(cè)壁方向上的厚度尺寸。
5.如權(quán)利要求3所述的晶體管，其特征在于，所述上層部的所述外蓋層相對于所述下層部往遠(yuǎn)離溝槽內(nèi)壁的方向凸出。
6.如權(quán)利要求5所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括：
柵極導(dǎo)電層，所述柵極導(dǎo)電層形成在所述柵極介質(zhì)層上并位于所述柵極溝槽中，以及所述柵極導(dǎo)電層從所述下層部延伸至所述上層部，并且所述柵極導(dǎo)電層高于預(yù)定高度位置的寬度尺寸小于所述柵極導(dǎo)電層低于預(yù)定高度位置的寬度尺寸。
7.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述柵極介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；
其中，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述柵極溝槽高于預(yù)定高度位置的內(nèi)壁，以構(gòu)成所述內(nèi)襯層；以及，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述第一介質(zhì)層和所述柵極溝槽低于預(yù)定高度位置的內(nèi)壁，并且所述第二介質(zhì)層中高于預(yù)定高度位置的部分構(gòu)成所述外蓋層，所述第二介質(zhì)層中低于預(yù)定高度位置的部分構(gòu)成所述下層部。
8.如權(quán)利要求7所述的晶體管，其特征在于，所述第一介質(zhì)層在垂直于溝槽側(cè)壁方向上的厚度尺寸大于所述第二介質(zhì)層在垂直于溝槽側(cè)壁方向上的厚度尺寸。
9.如權(quán)利要求7所述的晶體管，其特征在于，所述上層部的所述內(nèi)襯層相對于所述下層部往靠近溝槽內(nèi)壁的方向凸出。
10.如權(quán)利要求9所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括：
柵極導(dǎo)電層，所述柵極導(dǎo)電層形成在所述柵極介質(zhì)層上并位于所述柵極溝槽中，并且所述柵極導(dǎo)電層的側(cè)壁邊界順應(yīng)所述第二介質(zhì)層的側(cè)壁從所述下層部延伸至所述上層部。
11.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括：
柵極導(dǎo)電層，所述柵極導(dǎo)電層形成在所述柵極介質(zhì)層上并位于所述柵極溝槽中，并且所述柵極導(dǎo)電層的頂部位置高于所述預(yù)定高度位置，以使所述柵極導(dǎo)電層從所述柵極介質(zhì)層的所述下層部延伸至所述上層部。
12.如權(quán)利要求11所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括：
源漏區(qū)，所述源漏區(qū)的底部邊界低于所述柵極導(dǎo)電層的頂部位置并高于所述預(yù)定高度位置，以使所述源漏區(qū)和所述柵極導(dǎo)電層之間間隔有所述柵極介質(zhì)層的上層部。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
