[發(fā)明專利]具有各種線寬的半導(dǎo)體器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910757368.5 | 申請日: | 2019-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN110838447A | 公開(公告)日: | 2020-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 柳齊民;權(quán)相德;益岡有里 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 各種 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,該方法包括:
在襯底上形成多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu),所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸并布置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)在第二方向上具有均一的節(jié)距,所述第二方向與所述第一方向不同,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)在所述第二方向上具有均一的寬度;
形成第一覆蓋層,所述第一覆蓋層共形地覆蓋所述第一區(qū)域中的所述襯底和所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu);
形成第二覆蓋層,所述第二覆蓋層共形地覆蓋所述第一區(qū)域中的所述第一覆蓋層并共形地覆蓋所述第二區(qū)域中的所述襯底和所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu);
形成間隔物層,所述間隔物層覆蓋:a)覆蓋所述第一區(qū)域中的所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)的相反側(cè)壁的所述第二覆蓋層,和b)覆蓋所述第二區(qū)域中的所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)的相反側(cè)壁的所述第二覆蓋層;
通過從所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域一起去除所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)、所述第一覆蓋層的一部分以及所述第二覆蓋層的一部分,在所述第一區(qū)域中形成多個第一柵極空間并在所述第二區(qū)域中形成多個第二柵極空間;以及
形成a)分別填充所述多個第一柵極空間的多條第一柵極線和b)分別填充所述多個第二柵極空間的多條第二柵極線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中形成所述第一覆蓋層包括:
在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域兩者中形成所述第一覆蓋層,所述第一覆蓋層共形地覆蓋所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的所述襯底和所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu);以及
去除形成在所述第二區(qū)域中的所述第一覆蓋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述第二方向上,所述多個第一柵極空間中的每個的第一間隙大于所述多個第二柵極空間中的每個的第二間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述第二方向上,所述多條第一柵極線中的每條的第一寬度大于所述多條第二柵極線中的每條的第二寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述第一寬度和所述第二寬度之差是所述第一覆蓋層的厚度的兩倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述襯底還包括第三區(qū)域,
形成所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)包括在所述第三區(qū)域中形成所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu),
a.形成所述第一覆蓋層包括,
在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域中形成所述第一覆蓋層,所述第一覆蓋層共形地覆蓋所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述襯底和所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu),以及
去除形成在所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述第一覆蓋層,
b.形成所述第二覆蓋層包括,
形成共形地覆蓋所述第一區(qū)域中的所述第一覆蓋層并共形地覆蓋所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述襯底和所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)的所述第二覆蓋層,以及
去除形成在所述第三區(qū)域中的所述第二覆蓋層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中形成所述多個第一柵極空間和所述多個第二柵極空間還包括:
去除所述第三區(qū)域中的所述多個虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)以在所述第三區(qū)域中進(jìn)一步形成多個第三柵極空間;以及
形成分別填充所述多個第三柵極空間的多條第三柵極線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述多條第一柵極線、所述多條第二柵極線和所述多條第三柵極線被同時分別形成在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述多條第一柵極線中的每條在所述第二方向上的第一寬度大于所述多條第二柵極線中的每條的第二寬度,并且每條所述第二柵極線的所述第二寬度大于所述多條第三柵極線中的每條的第三寬度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會社,未經(jīng)三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910757368.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





