[發(fā)明專(zhuān)利]具有各種線寬的半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910757368.5
• 申請(qǐng)日: 2019-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110838447A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳齊民;權(quán)相德;益岡有里
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

提供了具有各種線寬的半導(dǎo)體器件以及制造該半導(dǎo)體器件的方法。該半導(dǎo)體器件包括：襯底，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；多條第一柵極線，在第一區(qū)域中在第一方向上延伸，并且每條第一柵極線在第二方向上具有第二寬度；多條第二柵極線，在第二區(qū)域中在第一方向上延伸，并且每條第二柵極線在第二方向上具有與第一寬度不同的第二寬度，該多條第二柵極線在第二方向上具有與多條第一柵極線在第二方向上的節(jié)距相同的節(jié)距；間隔物層，覆蓋所述多條第一柵極線中的每條和所述多條第二柵極線中的每條的相反側(cè)壁；以及第一基層，布置在第一區(qū)域中的襯底和間隔物層之間。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體器件和/或制造該半導(dǎo)體器件的方法，更具體地，涉及具有各種線寬的半導(dǎo)體器件和/或制造該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

隨著對(duì)電子設(shè)備的小型化、高性能和多功能性的需求的增加，電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體器件也需要具有高集成、高性能和多功能性。因此，越來(lái)越希望在半導(dǎo)體器件中實(shí)現(xiàn)各種線寬，使得高度集成的半導(dǎo)體器件可以具有各種功能和/或改進(jìn)的性能。

然而，為了使半導(dǎo)體器件具有各種線寬，使用復(fù)雜的工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的線寬，因此，半導(dǎo)體器件的可靠性降低和/或制造成本增加。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思提供了具有各種線寬且具有改善的可靠性的半導(dǎo)體器件和/或制造該半導(dǎo)體器件的方法，該方法能夠通過(guò)工藝的簡(jiǎn)化來(lái)降低制造成本的增加。

根據(jù)至少一些發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：在襯底上形成多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)，該襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸并布置在第一區(qū)域和第二區(qū)域中，第一區(qū)域和第二區(qū)域中的所述多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)在不同于第一方向的第二方向上具有均一的節(jié)距，第一區(qū)域和第二區(qū)域中的所述多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)在第二方向上具有均一的寬度。該方法還包括形成第一覆蓋層以及形成第二覆蓋層，該第一覆蓋層共形地覆蓋包括在第一區(qū)域中的襯底和包括在第一區(qū)域中的多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)，該第二覆蓋層共形地覆蓋第一區(qū)域中的第一覆蓋層并共形地覆蓋包括在第二區(qū)域中的襯底和包括在第二區(qū)域中的多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)；形成間隔物層，該間隔物層覆蓋：a)覆蓋包括在第一區(qū)域中的多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)的相反側(cè)壁的第二覆蓋層，和b)覆蓋包括在第二區(qū)域中的多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)的相反側(cè)壁的第二覆蓋層；通過(guò)從第一區(qū)域和第二區(qū)域一起去除多個(gè)虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)、第一覆蓋層的一部分和第二覆蓋層的一部分，在第一區(qū)域中形成多個(gè)第一柵極空間并在第二區(qū)域中形成多個(gè)第二柵極空間；以及形成a)分別填充所述多個(gè)第一柵極空間的多條第一柵極線和b)分別填充所述多個(gè)第二柵極空間的多條第二柵極線。