[發明專利]一種晶圓位置偵測系統有效
| 申請號: | 201910756483.0 | 申請日: | 2019-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN110459499B | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發明(設計)人: | 劉祥超 | 申請(專利權)人: | 上海知昊電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中索知識產權代理有限公司 11640 | 代理人: | 趙登陽 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 位置 偵測 系統 | ||
本發明公開了一種全新的晶圓位置偵測系統,包括CCD模塊、系統處理模塊、電源模塊和CHB智能控制顯示儀,其特征在于,所述CHB智能控制顯示儀包括CHB Cooling N2氣動閥開關和“CHB Cover open”interlock回路,且CHB Cooling N2氣動閥開關和系統處理模塊之間電性連接。本發明安裝于AMAT Endura上的CHB,用于偵測CHB中wafer的位置是否有偏移,如果位置有偏移系統會輸出一個alarm信號,通過CCD模塊對Wafer的位置拍攝Wafer notch圖像,對比標準圖像,可保證一些8英寸和更高制程的晶圓偵測,邏輯清晰,偵測誤差率較低。
技術領域
本發明涉及晶圓檢測技術領域,尤其涉及一種晶圓位置偵測系統。
背景技術
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。
以前的AMAT Endura機器中沒有晶圓位置偵測系統,如果晶圓位置偏移,機器無法偵測到,影響制程的質量。
發明內容
基于背景技術存在的技術問題,本發明提出了一種晶圓位置偵測系統。
本發明提出的一種晶圓位置偵測系統,包括CCD模塊、系統處理模塊、電源模塊和CHB智能控制顯示儀,其特征在于,所述CHB智能控制顯示儀包括CHB冷N2氣動閥開關和“CHBCover open”電鎖回路,且CHB冷N2氣動閥開關和系統處理模塊之間電性連接,所述“CHBCover open”電鎖回路集成在系統處理模塊上,所述CCD模塊通過電性和CHB冷N2氣動閥開關相連接,且CCD模塊和系統處理模塊之間通過電性相連接,所述CCD模塊、系統處理模塊和CHB智能控制顯示儀均通過電源模塊形成閉合作業回路。
優選的,所述CHB智能控制顯示儀中有12個指示燈,且12個指示燈指示單位定義分別為報警1、報警2、穩定、零點、總值、凈值、峰值、谷值、t、kg、g和kN。
優選的,所述CHB智能控制顯示儀設置于AMAT Endura設備,且CHB智能控制顯示儀的作用為偵測圓晶的位置是否有偏移,其偵測圓晶最小偏移量為0.1mm。
優選的,所述CHB智能控制顯示儀偵測位置較標準圖像有偏移,系統處理模塊產生報警信號至“CHB Cover open”電鎖回路。
本發明中的有益效果為:此系統安裝于AMAT Endura上的CHB,用于偵測CHB中圓晶的位置是否有偏移(最小偏移量0.1mm),如果位置有偏移系統會輸出一個報警信號,通過CCD模塊對圓晶的位置拍攝Wafer notch圖像,對比標準圖像,可保證一些8英寸和更高制程的晶圓偵測,邏輯清晰,偵測誤差率較低。
附圖說明
圖1為本發明提出的一種晶圓位置偵測系統的系統結構示意圖;
圖2為本發明提出的一種晶圓位置偵測系統的系統偵測流程圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





