[發(fā)明專利]掩膜版、掩膜版缺陷修復(fù)方法、掩膜版的使用方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910753709.1
• 申請(qǐng)日: 2019-08-15
• 公開（公告）號(hào): CN112394614A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦學(xué)飛;王杰;薛粉;凌文君;李德建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/72
• 分類號(hào): G03F1/72;G03F1/74
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

一種掩膜版、掩膜版缺陷修復(fù)方法、掩膜版的使用方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中掩膜版缺陷修復(fù)方法包括：提供基底，所述基底包括第一區(qū)和包圍所述第一區(qū)的第二區(qū)，所述基底表面具有遮光膜；對(duì)所述遮光膜進(jìn)行一次以上第一刻蝕，形成遮光層，所述遮光層內(nèi)具有開口，且所述開口暴露出第一區(qū)表面；所述第一刻蝕包括：在所述遮光膜表面形成保護(hù)層；對(duì)所述第一區(qū)上的保護(hù)層和遮光膜進(jìn)行第一電子束刻蝕工藝。所述方法降低掩模版缺陷的修復(fù)成本的同時(shí)，能夠減小刻蝕偏差，提高掩膜缺陷修復(fù)成功率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及掩膜版、掩膜版缺陷修復(fù)方法、掩膜版的使用方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻工藝一直是非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，而掩膜版則是在光刻中占據(jù)著舉足輕重的地位。常見(jiàn)的掩膜版包括透明的基底，例如可以是石英基底，和位于基底上的遮光層，通常所述遮光層需要含有金屬。掩膜版將半導(dǎo)體制造過(guò)程中所需要的圖形制作在遮光層內(nèi)，從而使得該圖形經(jīng)過(guò)一系列過(guò)程形成在硅片上。

在掩膜版的制作過(guò)程中，由于各種不可測(cè)的因素，例如環(huán)境、石英基底的紋路、光刻膠等的一系列問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致制得的掩膜版存在缺陷，然而由于掩膜版的價(jià)格不菲，不可能將有缺陷的掩膜版丟棄，因此通常需要對(duì)掩膜版進(jìn)行修復(fù)。

然而，現(xiàn)有的對(duì)掩膜版缺陷的修復(fù)方法成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種掩膜版、掩膜版缺陷修復(fù)方法、掩膜版的使用方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，從而能夠在降低掩模版缺陷的修復(fù)成本的同時(shí)，減小刻蝕偏差，提高掩膜缺陷修復(fù)成功率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種掩膜版缺陷修復(fù)方法，包括：提供基底，所述基底包括第一區(qū)和包圍所述第一區(qū)的第二區(qū)，所述基底表面具有遮光膜；對(duì)所述遮光膜進(jìn)行一次以上第一刻蝕，形成遮光層，所述遮光層內(nèi)具有開口，且所述開口暴露出第一區(qū)表面；所述第一刻蝕包括：在所述遮光膜表面形成保護(hù)層；對(duì)所述第一區(qū)上的保護(hù)層和遮光膜進(jìn)行第一電子束刻蝕工藝。

可選的，所述第一電子束刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：電子束的能量0.2Kev～2Kev,采用的刻蝕氣體為含氟化合物,所述刻蝕氣體的流量為1標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘～1000標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘。

可選的，所述第一區(qū)上的遮光膜的厚度小于第二區(qū)上的遮光膜的厚度。

可選的，所述遮光膜的形成方法包括：在所述基底表面形成初始遮光材料；對(duì)所述第一區(qū)上的初始遮光材料進(jìn)行第二電子束刻蝕工藝，形成所述遮光膜。

可選的，所述第二電子束刻蝕的工藝參數(shù)包括：電子束的能量0.2Kev～2Kev,采用的刻蝕氣體為含氟化合物,所述刻蝕氣體的流量為1標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘～1000標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘。

可選的，當(dāng)所述第一刻蝕的次數(shù)為兩次或者兩次以上時(shí)，每一第一刻蝕的方法包括：在所述遮光膜表面形成保護(hù)層；對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行第一階段第一刻蝕工藝，去除所述第一區(qū)上的保護(hù)層，直至暴露出所述第一區(qū)上的遮光膜為止；去除所述第一區(qū)上的保護(hù)層之后，以所述保護(hù)層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)的遮光膜進(jìn)行第二階段第一刻蝕工藝，直至暴露出所述第二區(qū)上的遮光膜的頂部表面和側(cè)壁表面，形成初始遮光層以及位于所述初始遮光層內(nèi)的初始開口。

可選的，所述保護(hù)層的材料包括：四乙氧基硅烷、碳、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或者氮化硼等；形成所述保護(hù)層的工藝包括：化學(xué)氣相沉積工藝。

可選的，所述的保護(hù)層的材料包括：氧化硅、氧化鉬或者氧化鉻；形成所述保護(hù)層的工藝包括：化學(xué)反應(yīng)。

可選的，所述基底的材料為透光材料；所述透光材料包括：石英玻璃。

可選的，所述基底的材料為反光材料；所述反光材料包括：鉬、釕或者鉬、釕和硅形成的復(fù)合物中的一種或者幾種。

可選的，所述遮光膜的材料包括：鉻或者硅化鉬。