[發(fā)明專利]掩膜版、掩膜版缺陷修復(fù)方法、掩膜版的使用方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910753709.1
• 申請(qǐng)日: 2019-08-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112394614A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦學(xué)飛;王杰;薛粉;凌文君;李德建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/72
• 分類號(hào): G03F1/72;G03F1/74
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區(qū)和包圍所述第一區(qū)的第二區(qū)，所述基底表面具有遮光膜；

對(duì)所述遮光膜進(jìn)行一次以上第一刻蝕，形成遮光層，所述遮光層內(nèi)具有開(kāi)口，且所述開(kāi)口暴露出第一區(qū)表面；

所述第一刻蝕包括：

在所述遮光膜表面形成保護(hù)層；

對(duì)所述第一區(qū)上的保護(hù)層和遮光膜進(jìn)行第一電子束刻蝕工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述第一電子束刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：電子束的能量范圍為0.2Kev～2Kev，采用的刻蝕氣體為含氟化合物，所述刻蝕氣體的流量為1標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘～1000標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘。

3.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述第一區(qū)上的遮光膜的厚度小于第二區(qū)上的遮光膜的厚度。

4.如權(quán)利要求3所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述遮光膜的形成方法包括：在所述基底表面形成初始遮光材料；對(duì)所述第一區(qū)上的初始遮光材料進(jìn)行第二電子束刻蝕工藝，形成所述遮光膜。

5.如權(quán)利要求4所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述第二電子束刻蝕的工藝參數(shù)包括：電子束的能量范圍為0.2Kev～2Kev，采用的刻蝕氣體為含氟化合物，所述刻蝕氣體的流量為1標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘～1000標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘。

6.如權(quán)利要求1或3所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述第一刻蝕的次數(shù)為兩次或者兩次以上時(shí)，每一第一刻蝕的方法包括：在所述遮光膜表面形成保護(hù)層；對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行第一階段第一刻蝕工藝，去除所述第一區(qū)上的保護(hù)層，直至暴露出所述第一區(qū)上的遮光膜為止；去除所述第一區(qū)上的保護(hù)層之后，以所述保護(hù)層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)的遮光膜進(jìn)行第二階段第一刻蝕工藝，直至暴露出所述第二區(qū)上的遮光膜的頂部表面和側(cè)壁表面，形成初始遮光層以及位于所述初始遮光層內(nèi)的初始開(kāi)口。

7.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料包括：四乙氧基硅烷、碳、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或者氮化硼；形成所述保護(hù)層的工藝包括：化學(xué)氣相沉積工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料包括：氧化硅、氧化鉬或者氧化鉻；形成所述保護(hù)層的工藝包括：化學(xué)反應(yīng)。

9.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述基底的材料為透光材料；所述透光材料包括：石英玻璃。

10.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述基底的材料為反光材料；所述反光材料包括：鉬、釕或者鉬、釕和硅形成的復(fù)合物中的一種或者幾種。

11.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述遮光膜的材料包括：鉻或者硅化鉬。

12.一種采用權(quán)利要求1至11任一所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法所形成的掩膜版。

13.一種掩膜版的使用方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成光刻膠；

采用如權(quán)利要求12所述的掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影工藝，在所述基底表面形成光膠層。

14.一種采用權(quán)利要求13所述的掩膜版的使用方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。