[發明專利]半導體設備封裝和其制造方法在審
| 申請號: | 201910752495.6 | 申請日: | 2019-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN112117244A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 徐紹恩;卓暉雄;呂世文 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/528;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體設備 封裝 制造 方法 | ||
1.一種半導體設備封裝,其包括:
襯底,其具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面;
第一天線輻射方向圖,其安置于所述襯底的所述第一表面上方,所述第一天線圖案具有第一帶寬;和
第二天線輻射方向圖,其安置于所述第一天線輻射方向圖上方,所述第二天線輻射方向圖具有不同于所述第一帶寬的第二帶寬,
其中所述第一天線輻射方向圖和所述第二天線輻射方向圖在垂直于所述襯底的所述第一表面的方向上至少部分地重疊。
2.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一天線輻射方向圖具有第一部分和與所述第一部分物理上間隔開的第二部分。
3.根據權利要求2所述的半導體設備封裝,其另外包括安置于所述襯底的所述第一表面上并且通過導通孔電連接到所述第一天線輻射方向圖的所述第一部分的導電層。
4.根據權利要求3所述的半導體設備封裝,其中所述導電層是接地層或射頻RF層。
5.根據權利要求2所述的半導體設備封裝,其中所述第一天線輻射方向圖的所述第二部分耦合到所述第一天線輻射方向圖的所述第一部分。
6.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第二天線輻射方向圖通過導通孔電連接到所述第一天線輻射方向圖的所述第一部分。
7.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其另外包括安置于所述第二天線輻射方向圖上方的第三天線輻射方向圖,其中所述第三天線輻射方向圖具有所述第二帶寬。
8.根據權利要求7所述的半導體設備封裝,其另外包括:
第一介電層,其上安置有所述第一天線輻射方向圖,所述第一介電層安置于所述襯底的所述第一表面上;
第二介電層,其上安置有所述第二天線輻射方向圖,所述第二介電層安置于所述第一介電層上并且覆蓋所述第一天線輻射方向圖;和
第三介電層,其上安置有所述第三天線輻射方向圖,所述第三介電層安置于所述第二介電層上并且覆蓋所述第二天線輻射方向圖。
9.根據權利要求8所述的半導體設備封裝,其另外包括安置于所述第一介電層與所述襯底的所述第一表面之間的第四介電層。
10.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一天線輻射方向圖和所述第二天線輻射方向圖中的每一個包含天線元件的M×N陣列,其中M或N是大于1的整數。
11.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一天線輻射方向圖和所述第二天線輻射方向圖的每一天線元件具有被配置成產生第一極化輻射的第一端口和被配置成產生第二極化輻射的第二端口,且其中所述第一極化輻射在垂直于所述第二極化輻射的方向上發射。
12.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一天線輻射方向圖和所述第二天線輻射方向圖中的每一個塑形為矩形、菱形或十字形。
13.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其另外包括安置于所述襯底的所述第二表面上并且電連接到所述第一天線輻射方向圖的電子組件。
14.一種半導體設備封裝,其包括:
襯底,其具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面;
第一天線輻射方向圖,其安置于所述襯底的所述第一表面上方,所述第一天線輻射方向圖具有饋電點;和
第二天線輻射方向圖,其安置于所述第一天線輻射方向圖上方,所述第二天線輻射方向圖具有饋電點,
其中所述第一天線輻射方向圖的所述饋電點耦合到所述第二天線輻射方向圖的所述饋電點。
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