[發明專利]一種柔性復合基板薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201910744368.1 | 申請日: | 2019-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN110581059A | 公開(公告)日: | 2019-12-17 |
| 發明(設計)人: | 孫玉俊 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 35214 福州市博深專利事務所(普通合伙) | 代理人: | 柯玉珊 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合基板 納米材料 片層結構 薄膜 摻雜 聚合物電介質 耐熱穩定性 水氧阻隔性 薄膜表面 摻雜材料 電路走線 老化性能 柔性基板 柔性面板 無機材料 光滑性 抗磨損 顆粒狀 耐高溫 耐磨損 平坦化 平整度 短路 斷線 劃傷 基板 減小 水氧 制備 曲折 | ||
本發明涉及柔性面板技術領域,特別涉及一種柔性復合基板薄膜的制備方法,由于納米材料自身耐高溫和耐磨損的特點以及其二維片層結構特點,通過采用納米材料摻雜,能夠大幅度提高聚合物電介質的耐電老化性能和耐熱穩定性;利用摻雜材料的片層結構特點增加了水氧在柔性復合基板薄膜中滲透路徑的曲折性,從而提高柔性基板的水氧阻隔性;并且片層結構的納米材料的摻雜相比較其他顆粒狀和管狀無機材料提高了柔性復合基板薄膜表面的平整度和光滑性,使得基板具有良好的抗磨損和劃傷的性能,更將有利于電路走線的平坦化,減小斷線短路等情況。
技術領域
本發明涉及柔性面板技術領域,特別涉及一種柔性復合基板薄膜的制備方法。
背景技術
隨著顯示技術的不斷發展,柔性有機發光二極管(Organic Light-EmittingDiode,簡稱為OLED)因其顯著的可彎折性能和低耗能、質量輕等特點,被廣泛應用于智能電子設備、車載顯示以及各類可穿戴設備中。并隨著個人智能終端技術的日益發展和人們需求量的不斷增加,柔性OLED終將成為最具有發展潛力的顯示技術。柔性顯示技術的實現除了與設計和制造技術的發展密切相關外,各種關鍵材料的研發與產業化也對于實現柔性顯示技術起到了重要的作用。其中柔性基板作為柔性器件的支撐與保護組件,不僅對于器件的顯示品質有著顯著的影響,而且會直接關系到器件的使用壽命,因此制備具有良好性能的柔性基板是實現柔性OLED發展的關鍵技術之一。
眾所周知,OLED器件對水和氧十分敏感,一旦有氧氣或者水汽進入就會引起器件壽命的衰減。對于柔性OLED器件,其壽命問題取決于柔性基板及封裝技術對于氧氣和水汽的隔阻性,因此柔性基板應具有低的水蒸汽透過率。然而在TFT背板的制作過程中,其制程溫度需要達到300-400℃的高溫,同時要求基板具有足夠的耐熱性與高溫尺寸穩定性。其次,在顯示屏長久的彎折使用過程中會逐漸對基板的表面造成磨損和缺陷,不同的缺陷會對會對器件光電活性層使用壽命和效果造成危害,因而柔性基板應具有好的硬度和平坦性。
目前柔性基板的應用制作主要是以具有良好的柔韌性和彎折性聚合物基板材料為主,但是制作所得聚合物薄膜基板對水氧阻隔性以及高溫尺寸穩定性均有一定的局限性。同時有發明表明在聚合物基板表面添加一層無機阻擋層來提高基板的性能,但是在使用過程中有機無機界面容易出現分離脫落的現象,降低了制作產品的良率。為了解決上述問題,得到表面硬化和柔性相平衡,具有良好水氧阻隔性和熱穩定性的基板是柔性發展的關鍵。故有必要提供一種適用于柔性顯示領域具有發展潛力的柔性復合基板薄膜的制備方法。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:提供一種能夠提高柔性基板水氧阻隔性和熱穩定性的制備方法。
為了解決上述技術問題,本發明采用的技術方案為:
一種柔性復合基板薄膜的制備方法,包括以下步驟:
步驟一:將片層的納米材料加入有機溶劑中均勻混合,得到第一混合溶液;
步驟二:將步驟一得到的第一混合溶液加入聚合物溶液中均勻混合,得到第二混合溶液;
步驟三:提供一承載基板,將步驟二得到的第二混合溶液涂覆在所述承載基板上,得到柔性復合基板薄膜半成品;
步驟四:將步驟三得到的柔性復合薄膜半成品進行加熱烘烤處理,得到柔性復合基板薄膜成品。
本發明的有益效果在于:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





